БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
HUFA76445S3SMOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Fairchild Semiconductor |
500 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 75A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.5mOhm @ 75A, 10V | 3V @ 250µA | 150 nC @ 10 V | ±16V | 4965 pF @ 25 V | - | 310W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
FQD5N50TMMOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK Fairchild Semiconductor |
21,653 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 3.5A (Tc) | 10V | 1.8Ohm @ 1.75A, 10V | 5V @ 250µA | 17 nC @ 10 V | ±30V | 610 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
HUFA76633P3MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
1,474 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 39A (Tc) | 4.5V, 10V | 35mOhm @ 39A, 10V | 3V @ 250µA | 67 nC @ 10 V | ±16V | 1820 pF @ 25 V | - | 145W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
|
FQB8N60CFTMMOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK Fairchild Semiconductor |
1,132 | - |
|
Таблицы данных |
FRFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 6.26A (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 3.13A, 10V | 4V @ 250µA | 36 nC @ 10 V | ±30V | 1255 pF @ 25 V | - | 147W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
|
HUFA76645S3STMOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Fairchild Semiconductor |
7,042 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 75A (Tc) | 4.5V, 10V | 14mOhm @ 75A, 10V | 3V @ 250µA | 153 nC @ 10 V | ±16V | 4400 pF @ 25 V | - | 310W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
FQPF18N20V2MOSFET N-CH 200V 18A TO220F Fairchild Semiconductor |
1,234 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 18A (Tc) | 10V | 140mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 250µA | 26 nC @ 10 V | ±30V | 1080 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
FDP3205MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
2,285 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 100A (Tc) | 10V | 7.5mOhm @ 59A, 10V | 5.5V @ 250µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 7730 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
FQA6N80MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P Fairchild Semiconductor |
1,175 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-3P-3, SC-65-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 6.3A (Tc) | 10V | 1.95Ohm @ 3.15A, 10V | 5V @ 250µA | 31 nC @ 10 V | ±30V | 1500 pF @ 25 V | - | 185W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3P |
|
|
HUF75344P3_NLN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
312 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 75A (Tc) | 10V | 8mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 210 nC @ 20 V | ±20V | 3200 pF @ 25 V | - | 285W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
FCI11N60MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK Fairchild Semiconductor |
64,279 | - |
|
Таблицы данных |
SuperFET™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 11A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 5.5A, 10V | 5V @ 250µA | 52 nC @ 10 V | ±30V | 1490 pF @ 25 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 (I2PAK) |
