БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD6670ALMOSFET N-CH 30V 84A DPAK Fairchild Semiconductor |
44,372 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 84A (Ta) | 4.5V, 10V | 5mOhm @ 18A, 10V | 3V @ 250µA | 56 nC @ 5 V | ±20V | 3845 pF @ 15 V | - | 83W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
FQA7N80CMOSFET N-CH 800V 7A TO3P Fairchild Semiconductor |
21,325 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-3P-3, SC-65-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 7A (Tc) | 10V | 1.9Ohm @ 3.5A, 10V | 5V @ 250µA | 35 nC @ 10 V | ±30V | 1680 pF @ 25 V | - | 198W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3P |
|
HUFA76633S3STMOSFET N-CH 100V 39A D2PAK Fairchild Semiconductor |
17,119 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 39A (Tc) | 4.5V, 10V | 35mOhm @ 39A, 10V | 3V @ 250µA | 67 nC @ 10 V | ±16V | 1820 pF @ 25 V | - | 145W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
FDMS2510SDCMOSFET N-CH 25V 28A/49A DLCOOL56 Fairchild Semiconductor |
14,256 | - |
|
Таблицы данных |
Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ | 8-PowerTDFN | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 28A (Ta), 49A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.9mOhm @ 23A, 10V | 3V @ 1mA | 45 nC @ 10 V | ±20V | 2780 pF @ 13 V | - | 3.3W (Ta), 60W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
|
FQU3P20TUMOSFET P-CH 200V 2.4A IPAK Fairchild Semiconductor |
13,384 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 2.4A (Tc) | 10V | 2.7Ohm @ 1.2A, 10V | 5V @ 250µA | 8 nC @ 10 V | ±30V | 250 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 37W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
SI6433DQP-CHANNEL MOSFET Fairchild Semiconductor |
11,967 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 4.5A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 47mOhm @ 4.5A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 18 nC @ 4.5 V | ±8V | 1193 pF @ 10 V | - | 600mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-TSSOP |
|
FDS6690SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Fairchild Semiconductor |
4,985 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 10A (Ta) | 4.5V, 10V | 13.5mOhm @ 10A, 10V | 3V @ 250µA | 18 nC @ 5 V | ±20V | 1340 pF @ 15 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
FDD6670AL_NLN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
3,176 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 84A (Ta) | 4.5V, 10V | 5mOhm @ 18A, 10V | 3V @ 250µA | 56 nC @ 5 V | ±20V | 3845 pF @ 15 V | - | 1.6W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
FQI12N60CTUMOSFET N-CH 600V 12A I2PAK Fairchild Semiconductor |
2,882 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 12A (Tc) | 10V | 650mOhm @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 63 nC @ 10 V | ±30V | 2290 pF @ 25 V | - | 3.13W (Ta), 225W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 (I2PAK) |
|
FQAF19N20LMOSFET N-CH 200V 16A TO3PF Fairchild Semiconductor |
1,659 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-3P-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 16A (Tc) | 5V, 10V | 140mOhm @ 8A, 10V | 2V @ 250µA | 35 nC @ 5 V | ±20V | 2200 pF @ 25 V | - | 85W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3PF |
