БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
HUF75631P3MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
16,024 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 33A (Tc) | 10V | 40mOhm @ 33A, 10V | 4V @ 250µA | 79 nC @ 20 V | ±20V | 1220 pF @ 25 V | - | 120W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
HUFA76437S3STMOSFET N-CH 60V 71A D2PAK Fairchild Semiconductor |
9,600 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 71A (Tc) | 4.5V, 10V | 14mOhm @ 71A, 10V | 3V @ 250µA | 71 nC @ 10 V | ±16V | 2230 pF @ 25 V | - | 155W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
FDD8444LMOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA Fairchild Semiconductor |
58,951 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 16A (Ta), 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.2mOhm @ 50A, 10V | 3V @ 250µA | 60 nC @ 5 V | ±20V | 5530 pF @ 25 V | - | 153W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
FDB603ALN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
37,600 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 33A (Tc) | 4.5V, 10V | 22mOhm @ 25A, 10V | 3V @ 250µA | 26 nC @ 10 V | ±20V | 670 pF @ 15 V | - | 50W (Tc) | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263AB |
|
|
FQP8N60CPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 Fairchild Semiconductor |
5,143 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 7.5A (Tc) | 10V | 1.2Ohm @ 3.75A, 10V | 4V @ 250µA | 36 nC @ 10 V | ±30V | 1255 pF @ 25 V | - | 147W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
FQI9N25CTUMOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK Fairchild Semiconductor |
2,000 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 8.8A (Tc) | 10V | 430mOhm @ 4.4A, 10V | 4V @ 250µA | 35 nC @ 10 V | ±30V | 710 pF @ 25 V | - | 3.13W (Ta), 74W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 (I2PAK) |
|
FQP70N08MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
797 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 70A (Tc) | 10V | 17mOhm @ 35A, 10V | 4V @ 250µA | 98 nC @ 10 V | ±25V | 2700 pF @ 25 V | - | 155W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
FQPF3N90MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220F Fairchild Semiconductor |
53,159 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 2.1A (Tc) | 10V | 4.25Ohm @ 1.05A, 10V | 5V @ 250µA | 26 nC @ 10 V | ±30V | 910 pF @ 25 V | - | 43W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
|
HUF75842S3STMOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Fairchild Semiconductor |
2,200 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 43A (Tc) | 10V | 42mOhm @ 43A, 10V | 4V @ 250µA | 175 nC @ 20 V | ±20V | 2730 pF @ 25 V | - | 230W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
|
HUF75639S3_NLN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
655 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 56A (Tc) | 10V | 25mOhm @ 56A, 10V | 4V @ 250µA | 130 nC @ 20 V | ±20V | 2000 pF @ 25 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
