БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQB9N50CFTMMOSFET N-CH 500V 9A D2PAK Fairchild Semiconductor |
9,738 | - |
|
Таблицы данных |
FRFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 9A (Tc) | 10V | 850mOhm @ 4.5A, 10V | 4V @ 250µA | 35 nC @ 10 V | ±30V | 1030 pF @ 25 V | - | 173W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
FQPF6N70MOSFET N-CH 700V 3.5A TO220F Fairchild Semiconductor |
5,064 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 700 V | 3.5A (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 1.75A, 10V | 5V @ 250µA | 40 nC @ 10 V | ±30V | 1400 pF @ 25 V | - | 48W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
FDD6682_NLN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
2,609 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 75A (Ta) | 4.5V, 10V | 6.2mOhm @ 17A, 10V | 3V @ 250µA | 31 nC @ 5 V | ±20V | 2400 pF @ 15 V | - | 1.6W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
|
HUF76145S3STN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
1,706 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 75A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.5mOhm @ 75A, 10V | 3V @ 250µA | 156 nC @ 10 V | ±20V | 4900 pF @ 25 V | - | 270W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263AB |
|
FDU6682_NLN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
1,078 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 75A (Ta) | 4.5V, 10V | 6.2mOhm @ 17A, 10V | 3V @ 250µA | 31 nC @ 5 V | ±20V | 2400 pF @ 15 V | - | 1.6W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-251 (IPAK) |
|
FQAF14N30MOSFET N-CH 300V 11.4A TO3PF Fairchild Semiconductor |
310 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-3P-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 11.4A (Tc) | 10V | 290mOhm @ 5.7A, 10V | 5V @ 250µA | 40 nC @ 10 V | ±30V | 1360 pF @ 25 V | - | 90W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3PF |
|
FQPF8N60CYDTUMOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F-3 Fairchild Semiconductor |
1,924 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 7.5A (Tc) | 10V | 1.2Ohm @ 3.75A, 10V | 4V @ 250µA | 36 nC @ 10 V | ±30V | 1255 pF @ 25 V | - | 48W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 (Y-Forming) |
|
|
FQPF12N60TMOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F Fairchild Semiconductor |
1,336 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 5.8A (Tc) | 10V | 700mOhm @ 2.9A, 10V | 5V @ 250µA | 54 nC @ 10 V | ±30V | 1900 pF @ 25 V | - | 55W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
FDS7764AMOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC Fairchild Semiconductor |
72,565 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 15A (Ta) | - | 7.5mOhm @ 15A, 4.5V | 2V @ 250µA | 40 nC @ 4.5 V | - | 3451 pF @ 15 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
FDD6672AMOSFET N-CH 30V 65A TO252 Fairchild Semiconductor |
69,410 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 65A (Ta) | 4.5V, 10V | 8mOhm @ 14A, 10V | 2V @ 250µA | 46 nC @ 4.5 V | ±12V | 5070 pF @ 15 V | - | 3.2W (Ta), 70W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
