БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQAF9N50MOSFET N-CH 500V 7.2A TO3PF Fairchild Semiconductor |
673 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-3P-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 7.2A (Tc) | 10V | 730mOhm @ 3.6A, 10V | 5V @ 250µA | 36 nC @ 10 V | ±30V | 1450 pF @ 25 V | - | 90W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3PF |
|
HRF3205_NLN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
392 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 100A (Tc) | 10V | 8mOhm @ 59A, 10V | 4V @ 250µA | 170 nC @ 10 V | ±20V | 4000 pF @ 25 V | - | 175W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
ISL9N2357D3STN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
67,500 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 35A (Tc) | 10V | 7mOhm @ 35A, 10V | 4V @ 250µA | 258 nC @ 20 V | ±20V | 5600 pF @ 25 V | - | 100W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
HUFA75343G3MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3 Fairchild Semiconductor |
821 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 75A (Tc) | 10V | 9mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 205 nC @ 20 V | ±20V | 3000 pF @ 25 V | - | 270W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 |
|
HUFA75639S3ST-F085AMOSFET N-CH 100V 56A D2PAK Fairchild Semiconductor |
497 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 56A (Tc) | - | 25mOhm @ 56A, 10V | 4V @ 250µA | 130 nC @ 20 V | ±20V | 2000 pF @ 25 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
|
FDD6030BLN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
66,201 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 10A (Ta), 42A (Tc) | 4.5V, 10V | 16mOhm @ 10A, 10V | 3V @ 250µA | 31 nC @ 10 V | ±20V | 1143 pF @ 15 V | - | 1.6W (Ta), 50W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
HUFA75344S3MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK Fairchild Semiconductor |
9,217 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 75A (Tc) | 10V | 8mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 210 nC @ 20 V | ±20V | 3200 pF @ 25 V | - | 285W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 (I2PAK) |
|
|
HUF75339G3MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3 Fairchild Semiconductor |
3,009 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 75A (Tc) | 10V | 12mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 130 nC @ 20 V | ±20V | 2000 pF @ 25 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 |
|
|
FQAF44N10MOSFET N-CH 100V 33A TO3PF Fairchild Semiconductor |
1,044 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-3P-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 33A (Tc) | 10V | 39mOhm @ 16.5A, 10V | 4V @ 250µA | 62 nC @ 10 V | ±25V | 1800 pF @ 25 V | - | 85W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3PF |
|
|
FQAF9P25MOSFET P-CH 250V 7.1A TO3PF Fairchild Semiconductor |
590 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-3P-3 Full Pack | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 7.1A (Tc) | 10V | 620mOhm @ 3.55A, 10V | 5V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±30V | 1180 pF @ 25 V | - | 70W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3PF |
