БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
HUF75339S3STN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
1,450 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 75A (Tc) | 10V | 12mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 130 nC @ 20 V | ±20V | 2000 pF @ 25 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
SI4467DYP-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
1,009 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 13.5A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 120 nC @ 4.5 V | ±8V | 8237 pF @ 10 V | - | 1.2W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
FDS6614AMOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC Fairchild Semiconductor |
20,000 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 9.3A (Ta) | 4.5V, 10V | 18mOhm @ 9.3A, 10V | 3V @ 250µA | 17 nC @ 5 V | ±20V | 1160 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
HUFA75344P3MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
1,054 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 75A (Tc) | 10V | 8mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 210 nC @ 20 V | ±20V | 3200 pF @ 25 V | - | 285W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
FDD6676ASMOSFET N-CH 30V 90A TO252 Fairchild Semiconductor |
209,310 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 90A (Ta) | 4.5V, 10V | 5.7mOhm @ 16A, 10V | 3V @ 1mA | 64 nC @ 10 V | ±20V | 2500 pF @ 15 V | - | 70W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
FQP2N60MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
84,915 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 2.4A (Tc) | 10V | 4.7Ohm @ 1.2A, 10V | 4V @ 250µA | 11 nC @ 10 V | ±30V | 350 pF @ 25 V | - | 64W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
FDU8870MOSFET N-CH 30V 21A/160A IPAK Fairchild Semiconductor |
65,675 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 21A (Ta), 160A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.9mOhm @ 35A, 10V | 2.5V @ 250µA | 118 nC @ 10 V | ±20V | 5160 pF @ 15 V | - | 160W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
FDD6670SN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
47,486 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 64A (Ta) | 4.5V, 10V | 9mOhm @ 13.8A, 10V | 3V @ 1mA | 24 nC @ 10 V | ±20V | 2010 pF @ 15 V | - | 1.3W (Ta) | -55°C ~ 150°C | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
|
FDP13AN06A0MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A TO220 Fairchild Semiconductor |
23,918 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 10.9A (Ta), 62A (Tc) | 6V, 10V | 13.5mOhm @ 62A, 10V | 4V @ 250µA | 29 nC @ 10 V | ±20V | 1350 pF @ 25 V | - | 115W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
FDP6676N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
20,082 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 84A (Ta) | 4.5V, 10V | 6mOhm @ 42A, 10V | 3V @ 250µA | 60 nC @ 5 V | ±16V | 5324 pF @ 15 V | - | 93W (Tc) | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
