БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDP120AN15A0MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220 Fairchild Semiconductor |
9,998 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 2.8A (Ta), 14A (Tc) | 6V, 10V | 120mOhm @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 14.5 nC @ 10 V | ±20V | 770 pF @ 25 V | - | 65W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
HUF76132S3STN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
9,600 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 75A (Tc) | 4.5V, 10V | 11mOhm @ 75A, 10V | 3V @ 250µA | 52 nC @ 10 V | ±20V | 1650 pF @ 25 V | - | 120W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263AB |
|
FDB8870-F085MOSFET N-CH 30V 23A/160A D2PAK Fairchild Semiconductor |
4,800 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 23A (Ta), 160A (Tc) | - | 3.9mOhm @ 35A, 10V | 2.5V @ 250µA | 132 nC @ 10 V | ±20V | 5200 pF @ 15 V | - | 160W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
FDD044AN03LMOSFET N-CH 30V 21A/35A TO252AA Fairchild Semiconductor |
4,060 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 21A (Ta), 35A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.9mOhm @ 35A, 10V | 2.5V @ 250µA | 118 nC @ 10 V | ±20V | 5160 pF @ 15 V | - | 160W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
|
HUF76132S3SN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
4,000 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 75A (Tc) | 4.5V, 10V | 11mOhm @ 75A, 10V | 3V @ 250µA | 52 nC @ 10 V | ±20V | 1650 pF @ 25 V | - | 120W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263AB |
|
NDB6030PL30A, 30V, 0.025OHM, P-CHANNEL, Fairchild Semiconductor |
3,647 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 30A (Tc) | 4.5V, 10V | 25mOhm @ 19A, 10V | 2V @ 250µA | 36 nC @ 5 V | ±16V | 1570 pF @ 15 V | - | 75W (Tc) | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263AB (D2PAK) |
|
FQAF17P10MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF Fairchild Semiconductor |
2,972 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-3P-3 Full Pack | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 12.4A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 6.2A, 10V | 4V @ 250µA | 39 nC @ 10 V | ±30V | 1100 pF @ 25 V | - | 56W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3PF |
|
FDU044AN03LMOSFET N-CH 30V 21A/35A IPAK Fairchild Semiconductor |
2,806 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 21A (Ta), 35A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.9mOhm @ 35A, 10V | 2.5V @ 250µA | 118 nC @ 10 V | ±20V | 5160 pF @ 15 V | - | 160W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
|
FQI32N20CTUMOSFET N-CH 200V 28A I2PAK Fairchild Semiconductor |
1,832 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 28A (Tc) | 10V | 82mOhm @ 14A, 10V | 4V @ 250µA | 110 nC @ 10 V | ±30V | 2220 pF @ 25 V | - | 3.13W (Ta), 156W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 (I2PAK) |
|
HUFA75333G3N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
1,512 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET® | TO-247-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 66A (Tc) | 10V | 16mOhm @ 66A, 10V | 4V @ 250µA | 85 nC @ 20 V | ±20V | 1300 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 |
