БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQPF9N50MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F Fairchild Semiconductor |
32,000 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 5.3A (Tc) | 10V | 730mOhm @ 2.65A, 10V | 5V @ 250µA | 36 nC @ 10 V | ±30V | 1450 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
RFP15N05LMOSFET N-CH 50V 15A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
20,443 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 50 V | 15A (Tc) | - | 140mOhm @ 15A, 5V | 2V @ 250µA | - | ±10V | 900 pF @ 25 V | - | 60W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
HUFA75842P3MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
6,317 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 43A (Tc) | 10V | 42mOhm @ 43A, 10V | 4V @ 250µA | 175 nC @ 20 V | ±20V | 2730 pF @ 25 V | - | 230W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
HUF75545S3MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK Fairchild Semiconductor |
3,206 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 75A (Tc) | 10V | 10mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 235 nC @ 20 V | ±20V | 3750 pF @ 25 V | - | 270W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 (I2PAK) |
|
IRF654BFP001N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
2,935 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 21A (Tc) | 10V | 140mOhm @ 10.5A, 10V | 4V @ 250µA | 123 nC @ 10 V | ±30V | 3400 pF @ 25 V | - | 156W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
|
FDPF7N50UMOSFET N-CH 500V 5A TO220F Fairchild Semiconductor |
321,595 | - |
|
Таблицы данных |
UniFET™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 5A (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 2.5A, 10V | 5V @ 250µA | 16.6 nC @ 10 V | ±30V | 940 pF @ 25 V | - | 39W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
FDMS8660ASMOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN Fairchild Semiconductor |
132,816 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 8-PowerTDFN | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 28A (Ta), 49A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.1mOhm @ 28A, 10V | 3V @ 1mA | 83 nC @ 10 V | ±20V | 5865 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta), 104W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
|
NDS9435P-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
20,000 | - |
|
Таблицы данных |
SI9xxx | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | 5.3A | - | - | - | - | - | - | - | 2W | - | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
RF1S50N06SM9AN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
9,898 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 50A (Tc) | 10V | 22mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 150 nC @ 20 V | ±20V | 2020 pF @ 25 V | - | 131W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263AB |
|
|
ISL9N306AD3N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
5,400 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 6mOhm @ 50A, 10V | 3V @ 250µA | 90 nC @ 10 V | ±20V | 3400 pF @ 15 V | - | 125W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
