БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRFR9024NMOSFET P-CH 55V 11A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 11A (Tc) | 10V | 175mOhm @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 19 nC @ 10 V | ±20V | 350 pF @ 25 V | - | 38W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
AUIRFS3004MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 195A (Tc) | 10V | 1.75mOhm @ 195A, 10V | 4V @ 250µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 9200 pF @ 25 V | - | 380W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK-3 (TO-263) |
|
AUIRFS3004-7PMOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 240A (Tc) | 10V | 1.25mOhm @ 195A, 10V | 4V @ 250µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 9130 pF @ 25 V | - | 380W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-7 |
.jpg)
|
AUIRFS3107-7PMOSFET N-CH 75V 240A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 240A (Tc) | 10V | 2.6mOhm @ 160A, 10V | 4V @ 250µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 9200 pF @ 50 V | - | 370W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK (7-Lead) |
|
AUIRFS3206MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 120A (Tc) | 10V | 3mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 170 nC @ 10 V | ±20V | 6540 pF @ 50 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
AUIRFS3207ZMOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 120A (Tc) | 10V | 4.1mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 170 nC @ 10 V | ±20V | 6920 pF @ 50 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
AUIRFS4010MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 180A (Tc) | 10V | 4.7mOhm @ 106A, 10V | 4V @ 250µA | 215 nC @ 10 V | ±20V | 9575 pF @ 50 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
AUIRFS4010-7PMOSFET N-CH 100V 190A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 190A (Tc) | 10V | 4mOhm @ 110A, 10V | 4V @ 250µA | 230 nC @ 10 V | ±20V | 9830 pF @ 50 V | - | 380W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK (7-Lead) |
|
|
AUIRFS4310ZMOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 120A (Tc) | 10V | 6mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 170 nC @ 10 V | ±20V | 6860 pF @ 50 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
AUIRFS4410ZMOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 97A (Tc) | 10V | 9mOhm @ 58A, 10V | 4V @ 150µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 4820 pF @ 50 V | - | 230W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
