БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRFU1010ZMOSFET N-CH 55V 91A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | - | - | - | 42A (Tc) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
AUIRFZ24NSMOSFET N-CH 55V 17A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 17A (Tc) | 10V | 70mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 370 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 45W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
AUIRFZ34NMOSFET N-CH 55V 29A TO220AB Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 29A (Tc) | 10V | 40mOhm @ 16A, 10V | 4V @ 250µA | 34 nC @ 10 V | ±20V | 700 pF @ 25 V | - | 68W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
AUIRFZ44NMOSFET N-CH 55V 49A TO220AB Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 49A (Tc) | 10V | 17.5mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 250µA | 63 nC @ 10 V | ±20V | 1470 pF @ 25 V | - | 94W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
|
AUIRFZ44NSMOSFET N-CH 55V 49A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 49A (Tc) | 10V | 17.5mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 250µA | 63 nC @ 10 V | ±20V | 1470 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 94W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
AUIRFZ46NLMOSFET N-CH 55V 39A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 39A (Tc) | 10V | 16.5mOhm @ 28A, 10V | 4V @ 250µA | 72 nC @ 10 V | ±20V | 1696 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 107W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
|
AUIRL2203NMOSFET N-CH 30V 75A TO220AB Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 75A (Tc) | 4.5V, 10V | 7mOhm @ 60A, 10V | 1V @ 250µA | 60 nC @ 4.5 V | ±16V | 3290 pF @ 25 V | - | 180W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
AUIRLL014NMOSFET N-CH 55V 2A SOT-223 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-261-4, TO-261AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 2A (Ta) | 4V, 10V | 140mOhm @ 2A, 10V | 2V @ 250µA | 14 nC @ 10 V | ±16V | 230 pF @ 25 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223 |
|
|
AUIRLL024NMOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-223 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-261-4, TO-261AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 3.1A (Ta) | 4V, 10V | 65mOhm @ 3.1A, 10V | 2V @ 250µA | 15.6 nC @ 5 V | ±16V | 510 pF @ 25 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223 |
|
|
AUIRLR014NMOSFET N-CH 55V 10A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 10A (Tc) | 4.5V, 10V | 140mOhm @ 6A, 10V | 3V @ 250µA | 7.9 nC @ 5 V | ±16V | 265 pF @ 25 V | - | 28W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
