БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR8743TRLPBFMOSFET N-CH 30V 160A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 160A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.1mOhm @ 25A, 10V | 2.35V @ 100µA | 59 nC @ 4.5 V | ±20V | 4880 pF @ 15 V | - | 135W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
IRF6892STR1PBFMOSFET N-CH 25V 28A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric S3C | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 28A (Ta), 125A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.7mOhm @ 28A, 10V | 2.1V @ 50µA | 25 nC @ 4.5 V | ±16V | 2510 pF @ 13 V | - | 2.1W (Ta), 42W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ S3C |
|
IRF8302MTR1PBFMOSFET N CH 30V 31A MX Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MX | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 31A (Ta), 190A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.8mOhm @ 31A, 10V | 2.35V @ 150µA | 53 nC @ 4.5 V | ±20V | 6030 pF @ 15 V | - | 2.8W (Ta), 104W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MX |
|
|
IRF8304MTR1PBFMOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MX | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 28A (Ta), 170A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.2mOhm @ 28A, 10V | 2.35V @ 100µA | 42 nC @ 4.5 V | ±20V | 4700 pF @ 15 V | - | 2.8W (Ta), 100W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MX |
|
IRF8327STR1PBFMOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | DirectFET™ Isometric SQ | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 14A (Ta), 60A (Tc) | 4.5V, 10V | 7.3mOhm @ 14A, 10V | 2.4V @ 25µA | 14 nC @ 4.5 V | ±20V | 1430 pF @ 15 V | - | 2.2W (Ta), 42W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ SQ |
|
AUIRF1018ESMOSFET N-CH 60V 79A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 79A (Tc) | 10V | 8.4mOhm @ 47A, 10V | 4V @ 100µA | 69 nC @ 10 V | ±20V | 2290 pF @ 50 V | - | 110W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
AUIRF1404MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 160A (Tc) | 10V | 4mOhm @ 121A, 10V | 4V @ 250µA | 196 nC @ 10 V | ±20V | 5669 pF @ 25 V | - | 333W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
|
AUIRF1404SMOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 75A (Tc) | 10V | 4mOhm @ 95A, 10V | 4V @ 250µA | 200 nC @ 10 V | ±20V | 7360 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
AUIRF1405MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 75A (Tc) | 10V | 5.3mOhm @ 101A, 10V | 4V @ 250µA | 260 nC @ 10 V | ±20V | 5480 pF @ 25 V | - | 330W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
|
AUIRF2805MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 75A (Tc) | 10V | 4.7mOhm @ 104A, 10V | 4V @ 250µA | 230 nC @ 10 V | ±20V | 5110 pF @ 25 V | - | 330W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
