БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRLR120NMOSFET N-CH 100V 10A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 10A (Tc) | 4V, 10V | 185mOhm @ 6A, 10V | 2V @ 250µA | 20 nC @ 5 V | ±16V | 440 pF @ 25 V | - | 48W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
AUIRLR2908MOSFET N-CH 80V 30A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 30A (Tc) | 4.5V, 10V | 28mOhm @ 23A, 10V | 2.5V @ 250µA | 33 nC @ 4.5 V | ±16V | 1890 pF @ 25 V | - | 120W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
AUIRLR3105MOSFET N-CH 55V 25A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 25A (Tc) | 5V, 10V | 37mOhm @ 15A, 10V | 3V @ 250µA | 20 nC @ 5 V | ±16V | 710 pF @ 25 V | - | 57W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
AUIRLR3110ZMOSFET N-CH 100V 42A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 42A (Tc) | 4.5V, 10V | 14mOhm @ 38A, 10V | 2.5V @ 100µA | 48 nC @ 4.5 V | ±16V | 3980 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
AUIRLR3114ZMOSFET N-CH 40V 42A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 42A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.9mOhm @ 42A, 10V | 2.5V @ 100µA | 56 nC @ 4.5 V | ±16V | 3810 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
AUIRLR3636MOSFET N-CH 60V 50A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.8mOhm @ 50A, 10V | 2.5V @ 100µA | 49 nC @ 4.5 V | ±16V | 3779 pF @ 50 V | - | 143W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
AUIRLR3915MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 30A (Tc) | 5V, 10V | 14mOhm @ 30A, 10V | 3V @ 250µA | 92 nC @ 10 V | ±16V | 1870 pF @ 25 V | - | 120W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
AUIRLS3034MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 195A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.7mOhm @ 195A, 10V | 2.5V @ 250µA | 162 nC @ 4.5 V | ±20V | 10315 pF @ 25 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
AUIRLS3034-7PMOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 240A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.4mOhm @ 200A, 10V | 2.5V @ 250µA | 180 nC @ 4.5 V | ±20V | 10990 pF @ 40 V | - | 380W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK (7-Lead) |
|
|
AUIRLS3036MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 195A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.4mOhm @ 165A, 10V | 2.5V @ 250µA | 140 nC @ 4.5 V | ±16V | 11210 pF @ 50 V | - | 380W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
