制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPS65R650CEAKMA1MOSFET N-CH 700V 10.1A TO251-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 700 V | 10.1A (Tc) | 10V | 650mOhm @ 2.1A, 10V | 3.5V @ 210µA | 23 nC @ 10 V | ±20V | 440 pF @ 100 V | - | 86W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3 |
![]() |
IPSA70R1K4CEAKMA1MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 700 V | 5.4A (Tc) | 10V | 1.4Ohm @ 1A, 10V | 3.5V @ 100µA | 10.5 nC @ 10 V | ±20V | 225 pF @ 100 V | - | 53W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3 |
![]() |
IPSA70R2K0CEAKMA1MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 700 V | 4A (Tc) | 10V | 2Ohm @ 1A, 10V | 3.5V @ 70µA | 7.8 nC @ 10 V | ±20V | 163 pF @ 100 V | - | 42W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3 |
![]() |
IPP80N07S405AKSA1MOSFET N-CH TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
- | - | Tube | Active | - | - | - | 80A (Tc) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
IPI120N04S4-01MMOSFET N-CH TO262-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
- | - | Tube | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
IPS70N10S3L-12MOSFET N-CH 1TO251-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
- | - | Tube | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
ITD50N04S4L04ATMA1MOSFET N-CH TO252-5 Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
- | - | Tape & Reel (TR) | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
IPA60R120P7E8191XKSA1MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
- | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
IPA60R125C6E8191XKSA1MOSFET N-CH TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
- | - | Tube | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
IPC60R070C6UNSAWNX6SA1MOSFET N-CH BARE DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |