制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSP296NL6327HTSA1MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
OptiMOS™ | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 1.2A (Ta) | 4.5V, 10V | 600mOhm @ 1.2A, 10V | 1.8V @ 100µA | 6.7 nC @ 10 V | ±20V | 152.7 pF @ 25 V | - | 1.8W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-SOT223-4 |
![]() |
IPC50R045CPX1SA1MOSFET N-CH BARE DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
IPC90R1K0C3X1SA1MOSFET N-CH BARE DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
IPC90R1K2C3X1SA1MOSFET N-CH BARE DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
IPC90R500C3X1SA1MOSFET N-CH BARE DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
IPC90R800C3X1SA1MOSFET N-CH BARE DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
SISC097N24DX1SA1TRANSISTOR P-CH BARE DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
- | - | Bulk | Discontinued at Digi-Key | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
IPC302N08N3X2SA1MOSFET N-CH 80V SAWN WAFER Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
- | - | Tape & Reel (TR) | Discontinued at Digi-Key | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
![]() |
IPD65R1K5CEAUMA1MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 700 V | 5.2A (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 1A, 10V | 3.5V @ 100µA | 10.5 nC @ 10 V | ±20V | 225 pF @ 100 V | - | 53W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 |
![]() |
IPN70R1K0CEATMA1MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223 Infineon Technologies |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
- | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 700 V | 7.4A (Tc) | 10V | 1Ohm @ 1.5A, 10V | 3.5V @ 150µA | 14.9 nC @ 10 V | ±20V | 328 pF @ 100 V | - | 5W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT223 |