БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRFR2407TRLMOSFET N-CH 75V 42A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 42A (Tc) | - | 26mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 250µA | 110 nC @ 10 V | - | 2400 pF @ 25 V | - | 110W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
AUIRFS3207ZTRLMOSFET N-CH 75V 170A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 120A (Tc) | - | 4.1mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 170 nC @ 10 V | - | 6920 pF @ 50 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
AUIRFS3306TRLMOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 120A (Tc) | 10V | 4.2mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 125 nC @ 10 V | ±20V | 4520 pF @ 50 V | - | 230W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
|
AUIRFS3607TRLMOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 80A (Tc) | 10V | 9mOhm @ 46A, 10V | 4V @ 100µA | 84 nC @ 10 V | ±20V | 3070 pF @ 50 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
|
AUIRFS3806TRLMOSFET N-CH 60V 43A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 43A (Tc) | 10V | 15.8mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 50µA | 30 nC @ 10 V | ±20V | 1150 pF @ 50 V | - | 71W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
AUIRFZ24NSTRLMOSFET N-CH 55V 17A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 17A (Tc) | 10V | 70mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 370 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 45W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
AUIRL1404STRLMOSFET N-CH 40V 160A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 160A (Tc) | 4.3V, 10V | 4mOhm @ 95A, 10V | 3V @ 250µA | 140 nC @ 5 V | ±20V | 6600 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
AUIRL7766M2TRMOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric M4 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 10A (Ta) | 4.5V, 10V | 10mOhm @ 31A, 10V | 2.5V @ 150µA | 66 nC @ 4.5 V | ±16V | 5305 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DirectFET™ Isometric M4 |
|
|
AUIRLR014NTRLMOSFET N-CH 55V 10A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 10A (Tc) | 4.5V, 10V | 140mOhm @ 6A, 10V | 3V @ 250µA | 7.9 nC @ 5 V | ±16V | 265 pF @ 25 V | - | 28W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
AUIRLR120NTRLMOSFET N-CH 100V 10A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 10A (Tc) | 4V, 10V | 185mOhm @ 6A, 10V | 2V @ 250µA | 20 nC @ 5 V | ±16V | 440 pF @ 25 V | - | 48W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
