制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPW65R190C6FKSA1MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 20.2A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 7.3A, 10V | 3.5V @ 730µA | 73 nC @ 10 V | ±20V | 1620 pF @ 100 V | - | 151W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 |
![]() |
IPW65R190CFDFKSA1MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 17.5A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 7.3A, 10V | 4.5V @ 730µA | 68 nC @ 10 V | ±20V | 1850 pF @ 100 V | - | 151W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 |
![]() |
IPW65R190E6FKSA1MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 20.2A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 7.3A, 10V | 3.5V @ 730µA | 73 nC @ 10 V | ±20V | 1620 pF @ 100 V | - | 151W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 |
![]() |
IPW65R310CFDFKSA1MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 11.4A (Tc) | 10V | 310mOhm @ 4.4A, 10V | 4.5V @ 440µA | 41 nC @ 10 V | ±20V | 1100 pF @ 100 V | - | 104.2W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 |
![]() |
IPW65R420CFDFKSA1MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 8.7A (Tc) | 10V | 420mOhm @ 3.4A, 10V | 4.5V @ 340µA | 32 nC @ 10 V | ±20V | 870 pF @ 100 V | - | 83.3W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 |
![]() |
SPP15P10PHXKSA1MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 15A (Tc) | 10V | 240mOhm @ 10.6A, 10V | 2.1V @ 1.54mA | 48 nC @ 10 V | ±20V | 1280 pF @ 25 V | - | 128W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
![]() |
IRF6898MTRPBFMOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MX | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 35A (Ta), 213A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.1mOhm @ 35A, 10V | 2.1V @ 100µA | 62 nC @ 4.5 V | ±16V | 5435 pF @ 13 V | Schottky Diode (Body) | 2.1W (Ta), 78W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MX |
![]() |
IRF6894MTRPBFMOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MX | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 32A (Ta), 160A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.3mOhm @ 33A, 10V | 2.1V @ 100µA | 39 nC @ 4.5 V | ±16V | 4160 pF @ 13 V | Schottky Diode (Body) | 2.1W (Ta), 54W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MX |
![]() |
IRF6811STRPBFMOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric SQ | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 19A (Ta), 74A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.7mOhm @ 19A, 10V | 2.1V @ 35µA | 17 nC @ 4.5 V | ±16V | 1590 pF @ 13 V | - | 2.1W (Ta), 32W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ SQ |
![]() |
IRF6811STR1PBFMOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric SQ | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 19A (Ta), 74A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.7mOhm @ 19A, 10V | 2.1V @ 35µA | 17 nC @ 4.5 V | ±16V | 1590 pF @ 13 V | - | 2.1W (Ta), 32W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ SQ |