БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUZ32 HMOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 9.5A (Tc) | 10V | 400mOhm @ 6A, 10V | 4V @ 1mA | - | ±20V | 530 pF @ 25 V | - | 75W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
|
|
BUZ73H3046XKSA1MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 7A (Tc) | 10V | 400mOhm @ 4.5A, 10V | 4V @ 1mA | - | ±20V | 530 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
|
|
BUZ73A HMOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 5.5A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 4.5A, 10V | 4V @ 1mA | - | ±20V | 530 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
|
|
BUZ73A H3046MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 5.5A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 4.5A, 10V | 4V @ 1mA | - | ±20V | 530 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
|
|
BUZ73LHXKSA1MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 7A (Tc) | 5V | 400mOhm @ 3.5A, 5V | 2V @ 1mA | - | ±20V | 840 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
|
IPA65R110CFDXKSA1MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 31.2A (Tc) | 10V | 110mOhm @ 12.7A, 10V | 4.5V @ 1.3mA | 118 nC @ 10 V | ±20V | 3240 pF @ 100 V | - | 34.7W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-111 |
|
|
IPA65R190C6XKSA1MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 20.2A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 7.3A, 10V | 3.5V @ 730µA | 73 nC @ 10 V | ±20V | 1620 pF @ 100 V | - | 34W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-111 |
|
|
IPA65R190CFDXKSA1MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 17.5A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 7.3A, 10V | 4.5V @ 730µA | 68 nC @ 10 V | ±20V | 1850 pF @ 100 V | - | 34W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-111 |
|
|
IPA65R310CFDXKSA1MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 11.4A (Tc) | 10V | 310mOhm @ 4.4A, 10V | 4.5V @ 440µA | 41 nC @ 10 V | ±20V | 1100 pF @ 100 V | - | 32W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-111 |
|
|
IPA65R420CFDXKSA1MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 8.7A (Tc) | 10V | 420mOhm @ 3.4A, 10V | 4.5V @ 340µA | 32 nC @ 10 V | ±20V | 870 pF @ 100 V | - | 31.2W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-111 |
