БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF8707GPBFMOSFET N-CH 30V 11A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 11A (Ta) | 4.5V, 10V | 11.9mOhm @ 11A, 10V | 2.35V @ 25µA | 9.3 nC @ 4.5 V | ±20V | 760 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF8714GPBFMOSFET N-CH 30V 14A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 14A (Ta) | 4.5V, 10V | 8.7mOhm @ 14A, 10V | 2.35V @ 25µA | 12 nC @ 4.5 V | ±20V | 1020 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF8721GPBFMOSFET N-CH 30V 14A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 14A (Ta) | 4.5V, 10V | 8.5mOhm @ 14A, 10V | 2.35V @ 25µA | 12 nC @ 4.5 V | ±20V | 1040 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
IRF7665S2TRPBFMOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | DirectFET™ Isometric SB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) | 10V | 62mOhm @ 8.9A, 10V | 5V @ 25µA | 13 nC @ 10 V | ±20V | 515 pF @ 25 V | - | 2.4W (Ta), 30W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET SB |
|
IRF6718L2TR1PBFMOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric L6 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 61A (Ta), 270A (Tc) | 4.5V, 10V | 0.7mOhm @ 61A, 10V | 2.35V @ 150µA | 96 nC @ 4.5 V | ±20V | 6500 pF @ 13 V | - | 4.3W (Ta), 83W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET L6 |
|
|
IRF6718L2TRPBFMOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric L6 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 61A (Ta), 270A (Tc) | 4.5V, 10V | 0.7mOhm @ 61A, 10V | 2.35V @ 150µA | 96 nC @ 4.5 V | ±20V | 6500 pF @ 13 V | - | 4.3W (Ta), 83W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET L6 |
|
IRF7739L2TR1PBFMOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric L8 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 46A (Ta), 375A (Tc) | 10V | 1mOhm @ 160A, 10V | 4V @ 250µA | 330 nC @ 10 V | ±20V | 11880 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 125W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DirectFET™ Isometric L8 |
|
|
IRF7749L2TR1PBFMOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric L8 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 33A (Ta), 375A (Tc) | 10V | 1.5mOhm @ 120A, 10V | 4V @ 250µA | 300 nC @ 10 V | ±20V | 12320 pF @ 25 V | - | 3.3W (Ta), 125W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DirectFET™ Isometric L8 |
|
|
IRF7759L2TR1PBFMOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric L8 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 26A (Ta), 375A (Tc) | 10V | 2.3mOhm @ 96A, 10V | 4V @ 250µA | 300 nC @ 10 V | ±20V | 12222 pF @ 25 V | - | 3.3W (Ta), 125W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DirectFET™ Isometric L8 |
|
|
IRF7769L2TR1PBFMOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric L8 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 375A (Tc) | 10V | 3.5mOhm @ 74A, 10V | 4V @ 250µA | 300 nC @ 10 V | ±20V | 11560 pF @ 25 V | - | 3.3W (Ta), 125W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DirectFET™ Isometric L8 |
