БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP60R380C6XKSA1MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 10.6A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 3.8A, 10V | 3.5V @ 320µA | 32 nC @ 10 V | ±20V | 700 pF @ 100 V | - | 83W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
|
|
IPP60R600C6XKSA1MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 7.3A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 2.4A, 10V | 3.5V @ 200µA | 20.5 nC @ 10 V | ±20V | 440 pF @ 100 V | - | 63W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
|
IRFH5250DTRPBFMOSFET N-CH 25V 40A/100A 8PQFN Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 40A (Ta), 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.4mOhm @ 50A, 10V | 2.35V @ 150µA | 83 nC @ 10 V | ±20V | 6115 pF @ 13 V | - | 3.6W (Ta), 156W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
|
IRFH5255TRPBFMOSFET N-CH 25V 15A/51A 8PQFN Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 15A (Ta), 51A (Tc) | 4.5V, 10V | 6mOhm @ 15A, 10V | 2.35V @ 25µA | 14.5 nC @ 10 V | ±20V | 988 pF @ 13 V | - | 3.6W (Ta), 26W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
|
IRLR8256PBFMOSFET N-CH 25V 81A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 81A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.7mOhm @ 25A, 10V | 2.35V @ 25µA | 15 nC @ 4.5 V | ±20V | 1470 pF @ 13 V | - | 63W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRLR8259PBFMOSFET N-CH 25V 57A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 57A (Tc) | 4.5V, 10V | 8.7mOhm @ 21A, 10V | 2.35V @ 25µA | 10 nC @ 4.5 V | ±20V | 900 pF @ 13 V | - | 48W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRLR8256TRPBFMOSFET N-CH 25V 81A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 81A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.7mOhm @ 25A, 10V | 2.35V @ 25µA | 15 nC @ 4.5 V | ±20V | 1470 pF @ 13 V | - | 63W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
BSB012N03LX3 GMOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 3-WDSON | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 39A (Ta), 180A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.2mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 169 nC @ 10 V | ±20V | 16900 pF @ 15 V | - | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
|
|
BSB017N03LX3 GMOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 3-WDSON | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 32A (Ta), 147A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.7mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 102 nC @ 10 V | ±20V | 7800 pF @ 15 V | - | 2.8W (Ta), 57W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
|
|
BSF024N03LT3GXUMA1MOSFET N-CH 30V 15A/106A 2WDSON Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 3-WDSON | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 15A (Ta), 106A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.4mOhm @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 71 nC @ 10 V | ±20V | 5500 pF @ 15 V | - | 2.2W (Ta), 42W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
