БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS3004-7PPBFMOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 240A (Tc) | 10V | 1.25mOhm @ 195A, 10V | 4V @ 250µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 9130 pF @ 25 V | - | 380W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK (7-Lead) |
|
IRFS3004PBFMOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 195A (Ta) | 10V | 1.75mOhm @ 195A, 10V | 4V @ 250µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 9200 pF @ 25 V | - | 380W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRFS4020PBFMOSFET N-CH 200V 18A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 18A (Tc) | 10V | 105mOhm @ 11A, 10V | 4.9V @ 100µA | 29 nC @ 10 V | ±20V | 1200 pF @ 50 V | - | 100W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRFS4115-7PPBFMOSFET N-CH 150V 105A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 105A (Tc) | 10V | 11.8mOhm @ 63A, 10V | 5V @ 250µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 5320 pF @ 50 V | - | 380W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK (7-Lead) |
|
|
IRFS4115PBFMOSFET N-CH 150V 195A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 195A (Tc) | 10V | 12.1mOhm @ 62A, 10V | 5V @ 250µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 5270 pF @ 50 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRFS4127PBFMOSFET N-CH 200V 72A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 72A (Tc) | 10V | 22mOhm @ 44A, 10V | 5V @ 250µA | 150 nC @ 10 V | ±20V | 5380 pF @ 50 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRFS4615PBFMOSFET N-CH 150V 33A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 33A (Tc) | 10V | 42mOhm @ 21A, 10V | 5V @ 100µA | 40 nC @ 10 V | ±20V | 1750 pF @ 50 V | - | 144W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRFS5615PBFMOSFET N-CH 150V 33A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 33A (Tc) | 10V | 42mOhm @ 21A, 10V | 5V @ 100µA | 40 nC @ 10 V | ±20V | 1750 pF @ 50 V | - | 144W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
IRLR3636PBFMOSFET N-CH 60V 50A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.8mOhm @ 50A, 10V | 2.5V @ 100µA | 49 nC @ 4.5 V | ±16V | 3779 pF @ 50 V | - | 143W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRLS3034-7PPBFMOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 240A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.4mOhm @ 200A, 10V | 2.5V @ 250µA | 180 nC @ 4.5 V | ±20V | 10990 pF @ 40 V | - | 380W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK (7-Lead) |
