БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPW50R199CPFKSA1MOSFET N-CH 550V 17A TO247-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 550 V | 17A (Tc) | 10V | 199mOhm @ 9.9A, 10V | 3.5V @ 660µA | 45 nC @ 10 V | ±20V | 1800 pF @ 100 V | - | 139W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 |
|
|
IPW50R299CPFKSA1MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 550 V | 12A (Tc) | 10V | 299mOhm @ 6.6A, 10V | 3.5V @ 440µA | 31 nC @ 10 V | ±20V | 1190 pF @ 100 V | - | 104W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 |
|
|
IPW50R350CPFKSA1MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 550 V | 10A (Tc) | 10V | 350mOhm @ 5.6A, 10V | 3.5V @ 370µA | 25 nC @ 10 V | ±20V | 1020 pF @ 100 V | - | 89W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 |
|
|
IPW60R250CPMOSFET N-CH 650V 12A TO247-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 12A (Tc) | 10V | 250mOhm @ 7.8A, 10V | 3.5V @ 440µA | 35 nC @ 10 V | ±20V | 1200 pF @ 100 V | - | 104W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 |
|
|
IPW90R1K0C3FKSA1MOSFET N-CH 900V 5.7A TO247-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 5.7A (Tc) | 10V | 1Ohm @ 3.3A, 10V | 3.5V @ 370µA | 34 nC @ 10 V | ±20V | 850 pF @ 100 V | - | 89W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 |
|
|
IPW90R1K2C3FKSA1MOSFET N-CH 900V 5.1A TO247-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 5.1A (Tc) | 10V | 1.2Ohm @ 2.8A, 10V | 3.5V @ 310µA | 28 nC @ 10 V | ±20V | 710 pF @ 100 V | - | 83W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 |
|
|
IPW90R340C3FKSA1MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 15A (Tc) | 10V | 340mOhm @ 9.2A, 10V | 3.5V @ 1mA | 94 nC @ 10 V | ±20V | 2400 pF @ 100 V | - | 208W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 |
|
|
IPW90R500C3FKSA1MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 11A (Tc) | 10V | 500mOhm @ 6.6A, 10V | 3.5V @ 740µA | 68 nC @ 10 V | ±20V | 1700 pF @ 100 V | - | 156W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 |
|
|
IPW90R800C3FKSA1MOSFET N-CH 900V 6.9A TO247-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 6.9A (Tc) | 10V | 800mOhm @ 4.1A, 10V | 3.5V @ 460µA | 42 nC @ 10 V | ±20V | 1100 pF @ 100 V | - | 104W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 |
|
SN7002W L6327MOSFET N-CH 60V 230MA SOT323-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | SC-70, SOT-323 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 230mA (Ta) | 4.5V, 10V | 5Ohm @ 230mA, 10V | 1.8V @ 26µA | 1.5 nC @ 10 V | ±20V | 45 pF @ 25 V | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT323 |
