| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF6618TR1PBFMOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MT | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 30A (Ta), 170A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.2mOhm @ 30A, 10V | 2.35V @ 250µA | 65 nC @ 4.5 V | ±20V | 5640 pF @ 15 V | - | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MT |
|
IRF6619TRPBFMOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MX | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 30A (Ta), 150A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.2mOhm @ 30A, 10V | 2.45V @ 250µA | 57 nC @ 4.5 V | ±20V | 5040 pF @ 10 V | - | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MX |
|
IRF6620TR1PBFMOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MX | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 27A (Ta), 150A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.7mOhm @ 27A, 10V | 2.45V @ 250µA | 42 nC @ 4.5 V | ±20V | 4130 pF @ 10 V | - | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MX |
|
IRF6621TR1PBFMOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric SQ | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 12A (Ta), 55A (Tc) | 4.5V, 10V | 9.1mOhm @ 12A, 10V | 2.25V @ 250µA | 17.5 nC @ 4.5 V | ±20V | 1460 pF @ 15 V | - | 2.2W (Ta), 42W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ SQ |
|
IRF6621TRPBFMOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric SQ | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 12A (Ta), 55A (Tc) | 4.5V, 10V | 9.1mOhm @ 12A, 10V | 2.25V @ 250µA | 17.5 nC @ 4.5 V | ±20V | 1460 pF @ 15 V | - | 2.2W (Ta), 42W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ SQ |
|
IRF6626TR1PBFMOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric ST | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 16A (Ta), 72A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.4mOhm @ 16A, 10V | 2.35V @ 250µA | 29 nC @ 4.5 V | ±20V | 2380 pF @ 15 V | - | 2.2W (Ta), 42W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ ST |
|
IRF6626TRPBFMOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric ST | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 16A (Ta), 72A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.4mOhm @ 16A, 10V | 2.35V @ 250µA | 29 nC @ 4.5 V | ±20V | 2380 pF @ 15 V | - | 2.2W (Ta), 42W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ ST |
|
IRF6628TR1PBFMOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MX | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 27A (Ta), 160A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.5mOhm @ 27A, 10V | 2.35V @ 100µA | 47 nC @ 4.5 V | ±20V | 3770 pF @ 15 V | - | 2.8W (Ta), 96W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MX |
|
IRF6628TRPBFMOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MX | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 27A (Ta), 160A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.5mOhm @ 27A, 10V | 2.35V @ 100µA | 47 nC @ 4.5 V | ±20V | 3770 pF @ 15 V | - | 2.8W (Ta), 96W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MX |
|
IRF6629TR1PBFMOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MX | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 29A (Ta), 180A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.1mOhm @ 29A, 10V | 2.35V @ 100µA | 51 nC @ 4.5 V | ±20V | 4260 pF @ 13 V | - | 2.8W (Ta), 100W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MX |
