БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR2905ZPBFMOSFET N-CH 55V 42A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 42A (Tc) | 10V | 14.5mOhm @ 36A, 10V | 4V @ 250µA | 44 nC @ 10 V | ±20V | 1380 pF @ 25 V | - | 110W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFR3303TRLPBFMOSFET N-CH 30V 33A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 33A (Tc) | 10V | 31mOhm @ 18A, 10V | 4V @ 250µA | 29 nC @ 10 V | ±20V | 750 pF @ 25 V | - | 57W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
64-4059PBFMOSFET N-CH 40V 42A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 42A (Tc) | 10V | 9mOhm @ 42A, 10V | 4V @ 250µA | 45 nC @ 10 V | ±20V | 1510 pF @ 25 V | - | 90W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
94-4156PBFMOSFET N-CH 20V 75A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 75A (Tc) | 4.5V, 10V | 9.5mOhm @ 15A, 10V | 3V @ 250µA | 19 nC @ 4.5 V | ±20V | 1996 pF @ 10 V | - | 90W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFR3707ZPBFMOSFET N-CH 30V 56A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 56A (Tc) | 4.5V, 10V | 9.5mOhm @ 15A, 10V | 2.25V @ 25µA | 14 nC @ 4.5 V | ±20V | 1150 pF @ 15 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFR3708TRRPBFMOSFET N-CH 30V 61A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 61A (Tc) | 2.8V, 10V | 12.5mOhm @ 15A, 10V | 2V @ 250µA | 24 nC @ 4.5 V | ±12V | 2417 pF @ 15 V | - | 87W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFR3709ZPBFMOSFET N-CH 30V 86A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 86A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.5mOhm @ 15A, 10V | 2.25V @ 250µA | 26 nC @ 4.5 V | ±20V | 2330 pF @ 15 V | - | 79W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFR3711ZPBFMOSFET N-CH 20V 93A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 93A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.7mOhm @ 15A, 10V | 2.45V @ 250µA | 27 nC @ 4.5 V | ±20V | 2160 pF @ 10 V | - | 79W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFR4104PBFMOSFET N-CH 40V 42A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 42A (Tc) | 10V | 5.5mOhm @ 42A, 10V | 4V @ 250µA | 89 nC @ 10 V | ±20V | 2950 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFR4105ZPBFMOSFET N-CH 55V 30A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 30A (Tc) | 10V | 24.5mOhm @ 18A, 10V | 4V @ 250µA | 27 nC @ 10 V | ±20V | 740 pF @ 25 V | - | 48W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
