БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR3715ZPBFMOSFET N-CH 20V 49A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 49A (Tc) | 4.5V, 10V | 11mOhm @ 15A, 10V | 2.55V @ 250µA | 11 nC @ 4.5 V | ±20V | 810 pF @ 10 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRLR3715ZTRLPBFMOSFET N-CH 20V 49A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 49A (Tc) | 4.5V, 10V | 11mOhm @ 15A, 10V | 2.55V @ 250µA | 11 nC @ 4.5 V | ±20V | 810 pF @ 10 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRLR7807ZPBFMOSFET N-CH 30V 43A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 43A (Tc) | 4.5V, 10V | 13.8mOhm @ 15A, 10V | 2.25V @ 250µA | 11 nC @ 4.5 V | ±20V | 780 pF @ 15 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRLR7821PBFMOSFET N-CH 30V 65A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 65A (Tc) | 4.5V, 10V | 10mOhm @ 15A, 10V | 1V @ 250µA | 14 nC @ 4.5 V | ±20V | 1030 pF @ 15 V | - | 75W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRLR7833PBFMOSFET N-CH 30V 140A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 140A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.5mOhm @ 15A, 10V | 2.3V @ 250µA | 50 nC @ 4.5 V | ±20V | 4010 pF @ 15 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRLR7833TRRPBFMOSFET N-CH 30V 140A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 140A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.5mOhm @ 15A, 10V | 2.3V @ 250µA | 50 nC @ 4.5 V | ±20V | 4010 pF @ 15 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRLR7843PBFMOSFET N-CH 30V 161A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 161A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.3mOhm @ 15A, 10V | 2.3V @ 250µA | 50 nC @ 4.5 V | ±20V | 4380 pF @ 15 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRLR8113PBFMOSFET N-CH 30V 94A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 94A (Tc) | 4.5V, 10V | 6mOhm @ 15A, 10V | 2.25V @ 250µA | 32 nC @ 4.5 V | ±20V | 2920 pF @ 15 V | - | 89W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRLR8503TRRPBFMOSFET N-CH 30V 44A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 44A (Tc) | 4.5V, 10V | 16mOhm @ 15A, 10V | 3V @ 250µA | 20 nC @ 5 V | ±20V | 1650 pF @ 25 V | - | 62W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
IRLZ44NSTRRPBFMOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 47A (Tc) | 4V, 10V | 22mOhm @ 25A, 10V | 2V @ 250µA | 48 nC @ 5 V | ±16V | 1700 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 110W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
