БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7478PBFMOSFET N-CH 60V 7A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 7A (Ta) | 4.5V, 10V | 26mOhm @ 4.2A, 10V | 3V @ 250µA | 31 nC @ 4.5 V | ±20V | 1740 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7401PBFMOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 8.7A (Ta) | 2.7V, 4.5V | 22mOhm @ 4.1A, 4.5V | 700mV @ 250µA (Min) | 48 nC @ 4.5 V | ±12V | 1600 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7469PBFMOSFET N-CH 40V 9A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 9A (Ta) | 4.5V, 10V | 17mOhm @ 9A, 10V | 3V @ 250µA | 23 nC @ 4.5 V | ±20V | 2000 pF @ 20 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7807D2PBFMOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
FETKY™ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 8.3A (Ta) | 4.5V | 25mOhm @ 7A, 4.5V | 1V @ 250µA | 17 nC @ 5 V | ±12V | - | Schottky Diode (Isolated) | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7807PBFMOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 8.3A (Ta) | 4.5V | 25mOhm @ 7A, 4.5V | 1V @ 250µA | 17 nC @ 5 V | ±12V | - | - | 2.5W (Tc) | - | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7465PBFMOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 1.9A (Ta) | 10V | 280mOhm @ 1.14A, 10V | 5.5V @ 250µA | 15 nC @ 10 V | ±30V | 330 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7484PBFMOSFET N-CH 40V 14A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 14A (Ta) | 7V | 10mOhm @ 14A, 7V | 2V @ 250µA | 100 nC @ 7 V | ±8V | 3520 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7402PBFMOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 6.8A (Ta) | 2.7V, 4.5V | 35mOhm @ 4.1A, 4.5V | 700mV @ 250µA (Min) | 22 nC @ 4.5 V | ±12V | 650 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7477PBFMOSFET N-CH 30V 14A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 14A (Ta) | 4.5V, 10V | 8.5mOhm @ 14A, 10V | 2.5V @ 250µA | 38 nC @ 4.5 V | ±20V | 2710 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7471PBFMOSFET N-CH 40V 10A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 10A (Ta) | 4.5V, 10V | 13mOhm @ 10A, 10V | 3V @ 250µA | 32 nC @ 4.5 V | ±20V | 2820 pF @ 20 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
