БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7453PBFMOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 2.2A (Ta) | 10V | 230mOhm @ 1.3A, 10V | 5.5V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±30V | 930 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7456PBFMOSFET N-CH 20V 16A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 16A (Ta) | 2.8V, 10V | 6.5mOhm @ 16A, 10V | 2V @ 250µA | 62 nC @ 5 V | ±12V | 3640 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7450PBFMOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 2.5A (Ta) | 10V | 170mOhm @ 1.5A, 10V | 5.5V @ 250µA | 39 nC @ 10 V | ±30V | 940 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7460PBFMOSFET N-CH 20V 12A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 12A (Ta) | 4.5V, 10V | 10mOhm @ 12A, 10V | 3V @ 250µA | 19 nC @ 4.5 V | ±20V | 2050 pF @ 10 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7322D1PBFMOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
FETKY™ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 5.3A (Ta) | 2.7V, 4.5V | 62mOhm @ 2.9A, 4.5V | 700mV @ 250µA (Min) | 29 nC @ 4.5 V | ±12V | 780 pF @ 15 V | Schottky Diode (Isolated) | 2W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7342D2PBFMOSFET P-CH 55V 3.4A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
FETKY™ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 3.4A (Ta) | 4.5V, 10V | 105mOhm @ 3.4A, 10V | 1V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 690 pF @ 25 V | Schottky Diode (Isolated) | 2W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
IRFP4232PBFMOSFET N-CH 250V 60A TO247AC Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-247-3 | Bag | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 60A (Tc) | 10V | 35.7mOhm @ 42A, 10V | 5V @ 250µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 7290 pF @ 25 V | - | 430W (Tc) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
|
|
IRF7495PBFMOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 7.3A (Ta) | 10V | 22mOhm @ 4.4A, 10V | 4V @ 250µA | 51 nC @ 10 V | ±20V | 1530 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
IRFS4610PBFMOSFET N-CH 100V 73A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 73A (Tc) | 10V | 14mOhm @ 44A, 10V | 4V @ 100µA | 140 nC @ 10 V | ±20V | 3550 pF @ 50 V | - | 190W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
IRFSL4610PBFMOSFET N-CH 100V 73A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 73A (Tc) | 10V | 14mOhm @ 44A, 10V | 4V @ 100µA | 140 nC @ 10 V | ±20V | 3550 pF @ 50 V | - | 190W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
