БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
;;3.jpg)
|
IRFU1205PBFMOSFET N-CH 55V 44A IPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 44A (Tc) | 10V | 27mOhm @ 26A, 10V | 4V @ 250µA | 65 nC @ 10 V | ±20V | 1300 pF @ 25 V | - | 107W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK (TO-251AA) |
|
IRFIZ46NPBFMOSFET N-CH 55V 33A TO220AB FP Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 33A (Tc) | 10V | 20mOhm @ 19A, 10V | 4V @ 250µA | 61 nC @ 10 V | ±20V | 1500 pF @ 25 V | - | 45W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB Full-Pak |
|
IRFZ46NSPBFMOSFET N-CH 55V 53A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 53A (Tc) | 10V | 16.5mOhm @ 28A, 10V | 4V @ 250µA | 72 nC @ 10 V | ±20V | 1696 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 107W (Tc) | - | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRL540NSPBFMOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 36A (Tc) | 4V, 10V | 44mOhm @ 18A, 10V | 2V @ 250µA | 74 nC @ 5 V | ±16V | 1800 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRLI2910PBFMOSFET N-CH 100V 31A TO220AB FP Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 31A (Tc) | 4V, 10V | 26mOhm @ 16A, 10V | 2V @ 250µA | 140 nC @ 5 V | ±16V | 3700 pF @ 25 V | - | 63W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB Full-Pak |
|
IRFL1006PBFMOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-261-4, TO-261AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 1.6A (Ta) | 10V | 220mOhm @ 1.6A, 10V | 4V @ 250µA | 8 nC @ 10 V | ±20V | 160 pF @ 25 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223 |
|
IRFZ46ZSPBFMOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 51A (Tc) | 10V | 13.6mOhm @ 31A, 10V | 4V @ 250µA | 46 nC @ 10 V | ±20V | 1460 pF @ 25 V | - | 82W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRLI3803PBFMOSFET N-CH 30V 76A TO220AB FP Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 76A (Tc) | 4.5V, 10V | 6mOhm @ 40A, 10V | 1V @ 250µA | 140 nC @ 4.5 V | ±16V | 5000 pF @ 25 V | - | 63W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB Full-Pak |
|
IRLU3802PBFMOSFET N-CH 12V 84A I-PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 12 V | 84A (Tc) | 2.8V, 4.5V | 8.5mOhm @ 15A, 4.5V | 1.9V @ 250µA | 41 nC @ 5 V | ±12V | 2490 pF @ 6 V | - | 88W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
|
IRFL024NPBFMOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-261-4, TO-261AA | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 2.8A (Ta) | 10V | 75mOhm @ 2.8A, 10V | 4V @ 250µA | 18.3 nC @ 10 V | ±20V | 400 pF @ 25 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223 |
