БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPB80N06S2L-09MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 8.5mOhm @ 52A, 10V | 2V @ 125µA | 105 nC @ 10 V | ±20V | 3480 pF @ 25 V | - | 190W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
|
IPD70N12S311ATMA2MOSFET_(120V 300V) Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 120 V | 70A (Tc) | 10V | 11.1mOhm @ 70A, 10V | 4V @ 83µA | 65 nC @ 10 V | ±20V | 4355 pF @ 25 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TO252-3-11 |
|
AUIRFR4292TRLMOSFET N-CH 250V 9.3A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 9.3A (Tc) | 10V | 345mOhm @ 5.6A, 10V | 5V @ 50µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 705 pF @ 25 V | - | 100W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
AUIRFR3504ZTRLMOSFET N-CH 40V 42A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 42A (Tc) | - | 9mOhm @ 42A, 10V | 4V @ 250µA | 45 nC @ 10 V | - | 1510 pF @ 25 V | - | 90W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
IRFL4310PBFMOSFET N-CH 100V SOT223 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 2.2A (Ta) | 10V | - | - | 25 nC @ 10 V | ±20V | 330 pF @ 25 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | - |
|
IRF7805ZGTRPBFMOSFET N-CH 30V 16A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 16A (Ta) | 4.5V, 10V | 6.8mOhm @ 16A, 10V | 2.25V @ 250µA | 27 nC @ 4.5 V | ±20V | 2080 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
IPA60R600C6XKSA1MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 7.3A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 2.4A, 10V | 3.5V @ 200µA | 20.5 nC @ 10 V | ±20V | 440 pF @ 100 V | - | 28W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-FP |
|
IPI60R600CPAKSA1MOSFET N-CH 600V 6.1A TO262-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 6.1A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 3.3A, 10V | 3.5V @ 220µA | 27 nC @ 10 V | ±20V | 550 pF @ 100 V | - | 60W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO262-3 |
|
IPA65R660CFDXKSA2MOSFET N-CH 700V 6A TO220 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ CFD2 | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 700 V | 6A (Tc) | 10V | 660mOhm @ 2.1A, 10V | 4.5V @ 200µA | 22 nC @ 10 V | ±20V | 615 pF @ 100 V | - | 27.8W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220 Full Pack |
|
IRF1010ZPBFMOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 75A (Tc) | 10V | 7.5mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 95 nC @ 10 V | ±20V | 2840 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
