БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFH8337TRPBFMOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 12A (Ta), 35A (Tc) | 4.5V, 10V | 12.8mOhm @ 16.2A, 10V | 2.35V @ 25µA | 10 nC @ 10 V | ±20V | 790 pF @ 10 V | - | 3.2W (Ta), 27W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PQFN (5x6) |
|
IPI26CN10N GMOSFET N-CH 100V 35A TO262-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 35A (Tc) | 10V | 26mOhm @ 35A, 10V | 4V @ 39µA | 31 nC @ 10 V | ±20V | 2070 pF @ 50 V | - | 71W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO262-3 |
|
IRFR5410TRLMOSFET P-CH 100V 13A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 13A (Tc) | 10V | 205mOhm @ 7.8A, 10V | 4V @ 250µA | 58 nC @ 10 V | ±20V | 760 pF @ 25 V | - | 66W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFR5410TRRMOSFET P-CH 100V 13A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 13A (Tc) | 10V | 205mOhm @ 7.8A, 10V | 4V @ 250µA | 58 nC @ 10 V | ±20V | 760 pF @ 25 V | - | 66W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
IPB80N04S2H4ATMA1MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 80A (Tc) | 10V | 3.7mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 148 nC @ 10 V | ±20V | 4400 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
|
IRLR9343-701PBFMOSFET P-CH 55V 20A IPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-4, DPAK (3 Leads + Tab) | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 20A (Tc) | 4.5V, 10V | 105mOhm @ 3.4A, 10V | 1V @ 250µA | 47 nC @ 10 V | ±20V | 660 pF @ 50 V | - | 79W (Tc) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | I-PAK (LF701) |
|
IRF1010ZLPBFMOSFET N-CH 55V 75A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 75A (Tc) | 10V | 7.5mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 95 nC @ 10 V | ±20V | 2840 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
|
IRF1010EZLPBFMOSFET N-CH 60V 75A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 75A (Tc) | 10V | 8.5mOhm @ 51A, 10V | 4V @ 100µA | 86 nC @ 10 V | ±20V | 2810 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
IRFB3306GPBFMOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 120A (Tc) | 10V | 4.2mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 4520 pF @ 50 V | - | 230W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
|
BSC057N03MSGATMA1MOSFET N-CH 30V 15A/71A TDSON Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 15A (Ta), 71A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.7mOhm @ 30A, 10V | 2V @ 250µA | 40 nC @ 10 V | ±16V | 3100 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta), 45W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TDSON-8-5 |
