БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSC0908NSATMA1MOSFET N-CH 34V 14A/49A TDSON Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 34 V | 14A (Ta), 49A (Tc) | 4.5V, 10V | 8mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 14 nC @ 10 V | ±20V | 1220 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta), 30W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TDSON-8-1 |
|
IRFR5305CPBFMOSFET P-CH 55V 31A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 31A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 16A, 10V | 4V @ 250µA | 63 nC @ 10 V | ±20V | 1200 pF @ 25 V | - | 110W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
IRFB5620PBFXKMA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
- | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 25A (Tc) | 10V | 72.5mOhm @ 15A, 10V | 5V @ 100µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 1710 pF @ 50 V | - | 144W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-904 |
|
IRFB7437GPBFMOSFET N CH 40V 195A TO220AB Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET®, StrongIRFET™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 195A (Tc) | 6V, 10V | 2mOhm @ 100A, 10V | 3.9V @ 150µA | 225 nC @ 10 V | ±20V | 7330 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
AUIRF7734M2TRMOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET M2 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric M2 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 17A (Ta) | 10V | 4.9mOhm @ 43A, 10V | 4V @ 100µA | 72 nC @ 10 V | ±20V | 2545 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 46W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DirectFET™ Isometric M2 |
|
IPP70N04S406AKSA1MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3-1 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 70A (Tc) | 10V | 6.5mOhm @ 70A, 10V | 4V @ 26µA | 32 nC @ 10 V | ±20V | 2550 pF @ 25 V | - | 58W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
|
SPP21N10MOSFET N-CH 100V 21A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 21A (Tc) | 10V | 80mOhm @ 15A, 10V | 4V @ 44µA | 38.4 nC @ 10 V | ±20V | 865 pF @ 25 V | - | 90W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
|
IPD60R1K5CEATMA1MOSFET N-CH 600V 3.1A TO252-3 Infineon Technologies |
18 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ CE | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 3.1A (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 1.1A, 10V | 3.5V @ 90µA | 9.4 nC @ 10 V | ±20V | 200 pF @ 100 V | - | 28W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 |
|
IRF7478TRPBFMOSFET N-CH 60V 7A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 7A (Ta) | 4.5V, 10V | 26mOhm @ 4.2A, 10V | 3V @ 250µA | 31 nC @ 4.5 V | ±20V | 1740 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF9328TRPBFMOSFET P-CH 30V 12A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 12A (Tc) | 4.5V, 10V | 11.9mOhm @ 12A, 10V | 2.4V @ 25µA | 52 nC @ 10 V | ±20V | 1680 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
