БОМ
0Texas Instruments CSD13306WT
- Номер запчасти.:
- CSD13306WT
- Производитель:
- Texas Instruments
- Категория:
- FET, MOSFET
- Пакет:
- 6-UFBGA, DSBGA
- Таблицы данных:
-
CSD13306WT.pdf
- Описание:
- MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
- Количество:
- Платежи:
- Корабли:
Подробная информация о продукции
- Спецификация
- Часто задаваемые вопросы
- Сравнение
- Свойства продукта
- Значение атрибута
- Производитель:
- Texas Instruments
- Серия:
- NexFET™
- Корпус/корпус:
- 6-UFBGA, DSBGA
- Упаковка:
- Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта:
- Active
- Тип полевого транзистора:
- N-Channel
- Технология:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток (Vdss):
- 12 V
- Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C:
- 3.5A (Ta)
- Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On):
- 2.5V, 4.5V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:
- 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
- Vgs(th) (Макс.) @ Id:
- 1.3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
- 11.2 nC @ 4.5 V
- Vgs (макс.):
- ±10V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds:
- 1370 pF @ 6 V
- Характеристика FET:
- -
- Рассеиваемая мощность (макс.):
- 1.9W (Ta)
- Рабочая температура:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Марка:
- -
- Квалификация:
- -
- Тип крепления:
- Surface Mount
- Устройство поставщика Упаковка:
- 6-DSBGA (1x1.5)
- Таблицы данных:
-
CSD13306WT.pdf
CSD13306WT Соответствующая информация
- CSD13306WT Метки
- Горячий поиск
Запасы:1,255
Пожалуйста, отправьте запрос. Отправьте нам ваш запрос, и мы ответим сразу.
-
BSZ180P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
-
SIRA14DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
-
AO4419
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
-
SISA14BDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
-
PSMN9R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
-
BUK9Y21-40E,115
Nexperia USA Inc.
-
RTQ035N03HZGTR
Rohm Semiconductor
-
FDMS7680
onsemi
-
RQ3E180BNTB
Rohm Semiconductor
-
STL6N2VH5
STMicroelectronics
-
DMPH4029LFGQ-7
Diodes Incorporated
-
DMT6015LSS-13
Diodes Incorporated
