БОМ
0STMicroelectronics STB50N65DM6
- Номер запчасти.:
- STB50N65DM6
- Производитель:
- STMicroelectronics
- Категория:
- FET, MOSFET
- Пакет:
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Таблицы данных:
-
STB50N65DM6.pdf
- Описание:
- MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
- Количество:
- Платежи:
- Корабли:
Подробная информация о продукции
- Спецификация
- Часто задаваемые вопросы
- Сравнение
- Свойства продукта
- Значение атрибута
- Производитель:
- STMicroelectronics
- Серия:
- MDmesh™ DM6
- Корпус/корпус:
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Упаковка:
- Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта:
- Active
- Тип полевого транзистора:
- N-Channel
- Технология:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток (Vdss):
- 650 V
- Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C:
- 33A (Tc)
- Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On):
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:
- 91mOhm @ 16.5A, 10V
- Vgs(th) (Макс.) @ Id:
- 4.75V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
- 52.5 nC @ 10 V
- Vgs (макс.):
- ±25V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds:
- 2300 pF @ 100 V
- Характеристика FET:
- -
- Рассеиваемая мощность (макс.):
- 250W (Tc)
- Рабочая температура:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Марка:
- -
- Квалификация:
- -
- Тип крепления:
- Surface Mount
- Устройство поставщика Упаковка:
- TO-263 (D2PAK)
- Таблицы данных:
-
STB50N65DM6.pdf
STB50N65DM6 Соответствующая информация
- STB50N65DM6 Метки
- Горячий поиск
Запасы:0
Пожалуйста, отправьте запрос. Отправьте нам ваш запрос, и мы ответим сразу.
-
BSZ180P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
-
SIRA14DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
-
AO4419
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
-
SISA14BDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
-
PSMN9R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
-
BUK9Y21-40E,115
Nexperia USA Inc.
-
RTQ035N03HZGTR
Rohm Semiconductor
-
FDMS7680
onsemi
-
RQ3E180BNTB
Rohm Semiconductor
-
STL6N2VH5
STMicroelectronics
-
DMPH4029LFGQ-7
Diodes Incorporated
-
DMT6015LSS-13
Diodes Incorporated
