БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFT20N80QMOSFET N-CH 800V 20A TO268 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 20A (Tc) | 10V | 420mOhm @ 10A, 10V | 4.5V @ 4mA | 200 nC @ 10 V | ±20V | 5100 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268AA |
|
|
IXFT21N50QMOSFET N-CH 500V 21A TO268 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 21A (Tc) | 10V | 250mOhm @ 10.5A, 10V | 4.5V @ 4mA | 84 nC @ 10 V | ±30V | 3000 pF @ 25 V | - | 280W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268AA |
|
|
IXFT26N50QMOSFET N-CH 500V 26A TO268 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 26A (Tc) | 10V | 200mOhm @ 13A, 10V | 4.5V @ 4mA | 95 nC @ 10 V | ±20V | 3900 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268AA |
|
|
IXFT26N60QMOSFET N-CH 600V 26A TO268 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 26A (Tc) | 10V | 250mOhm @ 13A, 10V | 4.5V @ 4mA | 200 nC @ 10 V | ±20V | 5100 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268AA |
|
|
IXFT28N50QMOSFET N-CH 500V 28A TO268 IXYS |
0 | - |
|
- |
HiPerFET™, Q Class | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Box | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 28A (Tc) | 10V | 200mOhm @ 14A, 10V | 4.5V @ 4mA | 94 nC @ 10 V | ±30V | 3000 pF @ 25 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268AA |
|
|
IXFT30N60QMOSFET N-CH 600V 30A TO268 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Q Class | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Box | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 30A (Tc) | 10V | 230mOhm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 4mA | 125 nC @ 10 V | ±20V | 4700 pF @ 25 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268AA |
|
|
IXFT60N25QMOSFET N-CH 250V 60A TO268 IXYS |
0 | - |
|
- |
HiPerFET™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 60A (Tc) | 10V | 47mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 4mA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 5100 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268AA |
|
IXFV12N80PMOSFET N-CH 800V 12A PLUS220 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, PolarHT™ | TO-220-3, Short Tab | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 12A (Tc) | 10V | 850mOhm @ 500mA, 10V | 5.5V @ 2.5mA | 51 nC @ 10 V | ±30V | 2800 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PLUS220 |
|
IXFV12N80PSMOSFET N-CH 800V 12A PLUS-220SMD IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, PolarHT™ | PLUS-220SMD | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 12A (Tc) | 10V | 850mOhm @ 500mA, 10V | 5.5V @ 2.5mA | 51 nC @ 10 V | ±30V | 2800 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PLUS-220SMD |
|
|
IXFV14N80PMOSFET N-CH 800V 14A PLUS220 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, PolarHT™ | TO-220-3, Short Tab | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 14A (Tc) | 10V | 720mOhm @ 500mA, 10V | 5.5V @ 4mA | 61 nC @ 10 V | ±30V | 3900 pF @ 25 V | - | 400W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PLUS220 |
