БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFN21N100QMOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Q Class | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 21A (Tc) | 10V | 500mOhm @ 500mA, 10V | 5V @ 4mA | 170 nC @ 10 V | ±20V | 5900 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
|
|
IXFN27N80QMOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Q Class | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 27A (Tc) | 10V | 320mOhm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 4mA | 170 nC @ 10 V | ±20V | 7600 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
|
|
IXFN38N80Q2MOSFET N-CH 800V 38A SOT227B IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Q2 Class | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 38A (Tc) | 10V | 220mOhm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 8mA | 190 nC @ 10 V | ±30V | 8340 pF @ 25 V | - | 735W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
|
|
IXFN44N60MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 44A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 8mA | 330 nC @ 10 V | ±20V | 8900 pF @ 25 V | - | 600W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
|
|
IXFN48N50QMOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Q Class | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 48A (Tc) | 10V | 100mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 4mA | 190 nC @ 10 V | ±20V | 7000 pF @ 25 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
|
|
IXFN66N50Q2MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 66A (Tc) | 10V | 80mOhm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 8mA | 199 nC @ 10 V | ±30V | 6800 pF @ 25 V | - | 735W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
|
|
IXFN80N50Q2MOSFET N-CH 500V 72A SOT227B IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Q2 Class | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 72A (Tc) | 10V | 60mOhm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 8mA | 250 nC @ 10 V | ±30V | 12800 pF @ 25 V | - | 890W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
|
IXFP3N50PMMOSFET N-CH 500V 2.7A TO220AB IXYS |
0 | - |
|
- |
HiPerFET™, PolarHT™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 2.7A (Tc) | 10V | 2Ohm @ 1.8A, 10V | 5.5V @ 250µA | 9.3 nC @ 10 V | ±30V | 409 pF @ 25 V | - | 36W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
|
IXFP5N50PMMOSFET N-CH 500V 3.2A TO220AB IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, PolarHT™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 3.2A (Tc) | 10V | 1.4Ohm @ 2.5A, 10V | 5.5V @ 500µA | 12.6 nC @ 10 V | ±30V | 620 pF @ 25 V | - | 38W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
|
IXFP8N50PMMOSFET N-CH 500V 4.4A TO220AB IXYS |
0 | - |
|
- |
HiPerFET™, PolarHT™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 4.4A (Tc) | 10V | 800mOhm @ 4A, 10V | 5.5V @ 1mA | 20 nC @ 10 V | ±30V | 1050 pF @ 25 V | - | 42W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
