制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT35SM70SSICFET 700V 35A TO247-3 Microsemi Corporation |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Bulk | Obsolete | - | SiCFET (Silicon Carbide) | 700 V | 35A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
![]() |
APT5SM170BSICFET N-CH 1700V 5A TO247-3 Microsemi Corporation |
0 | - |
|
![]() Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Bulk | Obsolete | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1700 V | 5A (Tc) | 20V | 1.25Ohm @ 2.5A, 20V | 3.2V @ 500µA | 21 nC @ 20 V | +25V, -10V | 249 pF @ 1000 V | - | 65W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
APT5SM170SSICFET N-CH 1700V 4.6A D3PAK Microsemi Corporation |
0 | - |
|
- |
- | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Bulk | Obsolete | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1700 V | 4.6A (Tc) | 20V | 1.2Ohm @ 2A, 20V | 3.2V @ 500µA | 29 nC @ 20 V | +25V, -10V | 325 pF @ 1000 V | - | 52W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D3PAK |