БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
APT5012JNMOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP Microsemi Corporation |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS IV® | SOT-227-4, miniBLOC | Tray | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 43A (Tc) | 10V | 120mOhm @ 21.5A, 10V | 4V @ 2.5mA | 370 nC @ 10 V | ±30V | 6500 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
APT5022BNGMOSFET N-CH 500V 27A TO247AD Microsemi Corporation |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS IV® | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 27A (Tc) | 10V | 220mOhm @ 13.5A, 10V | 4V @ 1mA | 210 nC @ 10 V | ±30V | 3500 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD |
|
|
APT5025BNMOSFET N-CH 500V 23A TO247AD Microsemi Corporation |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS IV® | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 23A (Tc) | 10V | 250mOhm @ 11.5A, 10V | 4V @ 1mA | 130 nC @ 10 V | ±30V | 2950 pF @ 25 V | - | 310W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD |
|
|
APT6030BNMOSFET N-CH 600V 23A TO247AD Microsemi Corporation |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS IV® | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 23A (Tc) | 10V | 300mOhm @ 11.5A, 10V | 4V @ 1mA | 210 nC @ 10 V | ±30V | 3500 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD |
|
|
APT6040BNMOSFET N-CH 600V 18A TO247AD Microsemi Corporation |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS IV® | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 18A (Tc) | 10V | 400mOhm @ 9A, 10V | 4V @ 1mA | 130 nC @ 10 V | ±30V | 2950 pF @ 25 V | - | 310W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD |
|
|
APT6040BNGMOSFET N-CH 600V 18A TO247AD Microsemi Corporation |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS IV® | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 18A (Tc) | 10V | 400mOhm @ 9A, 10V | 4V @ 1mA | 130 nC @ 10 V | ±30V | 2950 pF @ 25 V | - | 310W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD |
|
|
APT8018JNMOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP Microsemi Corporation |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS IV® | SOT-227-4, miniBLOC | Tray | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 40A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 5mA | 700 nC @ 10 V | ±30V | 14000 pF @ 25 V | - | 690W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APT8075BNMOSFET N-CH 800V 13A TO247AD Microsemi Corporation |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS IV® | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 13A (Tc) | 10V | 750mOhm @ 6.5A, 10V | 4V @ 1mA | 130 nC @ 10 V | ±30V | 2950 pF @ 25 V | - | 310W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AD |
|
|
APT58MJ50JMOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP Microsemi Corporation |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 58A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 42A, 10V | 5V @ 2.5mA | 340 nC @ 10 V | ±30V | 13500 pF @ 25 V | - | 540W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
APT10M07JVRMOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP Microsemi Corporation |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 225A (Tc) | 10V | - | 4V @ 5mA | 1050 nC @ 10 V | ±30V | 21600 pF @ 25 V | - | 700W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
