БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FCH35N60MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3 Fairchild Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMOS™ | TO-247-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 35A (Tc) | 10V | 98mOhm @ 17.5A, 10V | 5V @ 250µA | 181 nC @ 10 V | ±30V | 6640 pF @ 25 V | - | 312.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 |
|
FDD6530AMOSFET N-CH 20V 21A TO252 Fairchild Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 21A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 32mOhm @ 8A, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 9 nC @ 4.5 V | ±8V | 710 pF @ 10 V | - | 3.3W (Ta), 33W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
FDS86540SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Fairchild Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 18A (Ta) | 8V, 10V | 4.5mOhm @ 18A, 10V | 4V @ 250µA | 90 nC @ 10 V | ±20V | 6410 pF @ 30 V | - | 2.5W (Ta), 5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
FCPF36N60NTMOSFET N-CH 600V 36A TO220F Fairchild Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SupreMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 36A (Tc) | 10V | 90mOhm @ 18A, 10V | 4V @ 250µA | 112 nC @ 10 V | ±30V | 4785 pF @ 100 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
|
FDD3706POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Fairchild Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 14.7A (Ta), 50A (Tc) | 2.5V, 10V | 9mOhm @ 16.2A, 10V | 1.5V @ 250µA | 23 nC @ 4.5 V | ±12V | 1882 pF @ 10 V | - | 3.8W (Ta), 44W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
FDD8874POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 Fairchild Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 18A (Ta), 116A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.1mOhm @ 35A, 10V | 2.5V @ 250µA | 72 nC @ 10 V | ±20V | 2990 pF @ 15 V | - | 110W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
FQP3P20POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 Fairchild Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 2.8A (Tc) | 10V | 2.7Ohm @ 1.4A, 10V | 5V @ 250µA | 8 nC @ 10 V | ±30V | 250 pF @ 25 V | - | 52W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
FDMC8327LPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Fairchild Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 8-PowerWDFN | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 12A (Ta), 14A (Tc) | 4.5V, 10V | 9.7mOhm @ 12A, 10V | 3V @ 250µA | 26 nC @ 10 V | ±20V | 1850 pF @ 20 V | - | 2.3W (Ta), 30W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-MLP (3.3x3.3) |
|
|
FQP9N90CPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 Fairchild Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 8A (Tc) | 10V | 1.4Ohm @ 4A, 10V | 5V @ 250µA | 58 nC @ 10 V | ±30V | 2730 pF @ 25 V | - | 205W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
SI3443DVMOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6 Fairchild Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 4.4A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 65mOhm @ 4.4A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 15 nC @ 4.5 V | ±12V | 1079 pF @ 10 V | - | 2W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Micro6™(TSOP-6) |
