БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDPF5N50NZUMOSFET N-CH 500V 3.9A TO220F Fairchild Semiconductor |
673 | - |
|
Таблицы данных |
UniFET-II™ | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 3.9A (Tc) | 10V | 2Ohm @ 1.95A, 10V | 5V @ 250µA | 12 nC @ 10 V | ±25V | 485 pF @ 25 V | - | 30W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
FQPF7N65CYDTUPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N Fairchild Semiconductor |
800 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 7A (Tc) | 10V | 1.4Ohm @ 3.5A, 10V | 4V @ 250µA | 36 nC @ 10 V | ±30V | 1245 pF @ 25 V | - | 52W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 (Y-Forming) |
|
FQPF9P25YDTUMOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3 Fairchild Semiconductor |
705 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 6A (Tc) | 10V | 620mOhm @ 3A, 10V | 5V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±30V | 1180 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 (Y-Forming) |
|
FDPF10N50FTPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9 Fairchild Semiconductor |
1,000 | - |
|
Таблицы данных |
UniFET™ | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 9A (Tc) | 10V | 850mOhm @ 4.5A, 10V | 5V @ 250µA | 24 nC @ 10 V | ±30V | 1170 pF @ 25 V | - | 42W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
IRF654BIRF654B - 21A, 250V, 0.14OHM, N- Fairchild Semiconductor |
447 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
FDPF12N50NZPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Fairchild Semiconductor |
1,000 | - |
|
Таблицы данных |
UniFET-II™ | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 11.5A (Tc) | 10V | 520mOhm @ 5.75A, 10V | 5V @ 250µA | 30 nC @ 10 V | ±25V | 1235 pF @ 25 V | - | 42W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
|
HUF76132P375A, 30V, 0.016OHM, N-CHANNEL MO Fairchild Semiconductor |
800 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
FCH110N65F-F155MOSFET N-CH 650V 35A TO247 Fairchild Semiconductor |
69 | - |
|
Таблицы данных |
FRFET®, SuperFET® II | TO-247-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 35A (Tc) | 10V | 110mOhm @ 17.5A, 10V | 5V @ 3.5mA | 145 nC @ 10 V | ±20V | 4895 pF @ 100 V | - | 357W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
FCH043N60POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 Fairchild Semiconductor |
50 | - |
|
Таблицы данных |
SuperFET® II | TO-247-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 75A (Tc) | 10V | 43mOhm @ 38A, 10V | 3.5V @ 250µA | 215 nC @ 10 V | ±20V | 12225 pF @ 400 V | - | 592W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
FDZ372NZMOSFET N-CH 20V 4.7A 4WLCSP Fairchild Semiconductor |
0 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 4-XFBGA, WLCSP | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 4.7A (Ta) | - | 50mOhm @ 2A, 4.5V | 1V @ 250µA | 9.8 nC @ 4.5 V | - | 685 pF @ 10 V | - | 1.7W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-WLCSP (1x1) |
