БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDPF44N25TRDTUMOSFET N-CH 250V 44A TO220F Fairchild Semiconductor |
800 | - |
|
Таблицы данных |
UniFET™ | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 44A (Tc) | 10V | 69mOhm @ 22A, 10V | 5V @ 250µA | 61 nC @ 10 V | ±30V | 2870 pF @ 25 V | - | 38W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F (LG-Formed) |
|
FQB27N25TM-F085FQB27N25 - N-CHANNEL ULTRAFET 25 Fairchild Semiconductor |
5,600 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 25.5A (Tc) | 10V | 131mOhm @ 25.5A, 10V | 5V @ 250µA | 49 nC @ 10 V | ±30V | 1800 pF @ 25 V | - | 417W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
FDI9406-F085FDI9406 - N-CHANNEL POWERTRENCH Fairchild Semiconductor |
5,600 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 110A (Tc) | 10V | 2.2mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 138 nC @ 10 V | ±20V | 7710 pF @ 25 V | - | 176W (Tj) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | I2PAK (TO-262) |
|
FDPF16N50UTMOSFET N-CH 500V 15A TO220F Fairchild Semiconductor |
373 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 15A (Tc) | 10V | 480mOhm @ 7.5A, 10V | 5V @ 250µA | 45 nC @ 10 V | ±30V | 1945 pF @ 25 V | - | 38.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
FQPF10N50CFPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Fairchild Semiconductor |
67,211 | - |
|
Таблицы данных |
FRFET® | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 10A (Tc) | 10V | 610mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 250µA | 56 nC @ 10 V | ±30V | 2096 pF @ 25 V | - | 48W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
FCPF165N65S3R0LFCPF165N65S3R0L - POWER MOSFET, Fairchild Semiconductor |
11,630 | - |
|
Таблицы данных |
SuperFET® III | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 19A (Tc) | 10V | 165mOhm @ 9.5A, 10V | 4.5V @ 410µA | 35 nC @ 10 V | ±30V | 1415 pF @ 400 V | - | 35W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
FDP8442-F085POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 Fairchild Semiconductor |
750 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 23A (Ta), 80A (Tc) | 10V | 3.1mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 235 nC @ 10 V | ±20V | 12200 pF @ 25 V | - | 254W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-220-3 |
|
|
FCPF9N60NTPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9 Fairchild Semiconductor |
1,700 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 9A (Tc) | 10V | 385mOhm @ 4.5A, 10V | 4V @ 250µA | 29 nC @ 10 V | ±30V | 1240 pF @ 100 V | - | 29.8W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
FCP380N60EMOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
25,166 | - |
|
Таблицы данных |
SuperFET® II | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 10.2A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 5A, 10V | 3.5V @ 250µA | 45 nC @ 10 V | ±20V | 1770 pF @ 25 V | - | 106W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
FQI13N50CTUPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Fairchild Semiconductor |
13,185 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 13A (Tc) | 10V | 480mOhm @ 6.5A, 10V | 4V @ 250µA | 56 nC @ 10 V | ±30V | 2055 pF @ 25 V | - | 195W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 (I2PAK) |
