БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FCPF7N60YDTUMOSFET N-CH 600V 7A TO220F-3 Fairchild Semiconductor |
2,683 | - |
|
Таблицы данных |
SuperFET™ | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 7A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 3.5A, 10V | 5V @ 250µA | 30 nC @ 10 V | ±30V | 920 pF @ 25 V | - | 31W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 (Y-Forming) |
|
FDB8870MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB Fairchild Semiconductor |
2,877 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 23A (Ta), 160A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.9mOhm @ 35A, 10V | 2.5V @ 250µA | 132 nC @ 10 V | ±20V | 5200 pF @ 15 V | - | 160W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
FCP4N60POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 Fairchild Semiconductor |
1,335 | - |
|
Таблицы данных |
SuperFET™ | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 3.9A (Tc) | 10V | 1.2Ohm @ 2A, 10V | 5V @ 250µA | 16.6 nC @ 10 V | ±30V | 540 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
FDB8444POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 Fairchild Semiconductor |
84,031 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 70A (Tc) | 10V | 5.5mOhm @ 70A, 10V | 4V @ 250µA | 128 nC @ 10 V | ±20V | 8035 pF @ 25 V | - | 167W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
FCPF4300N80ZMOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F Fairchild Semiconductor |
931 | - |
|
Таблицы данных |
SuperFET® II | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 1.6A (Tc) | 10V | 4.3Ohm @ 800mA, 10V | 4.5V @ 160µA | 8.8 nC @ 10 V | ±20V | 355 pF @ 100 V | - | 19.2W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
FQPF2N80YDTUMOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3 Fairchild Semiconductor |
425 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 1.5A (Tc) | 10V | 6.3Ohm @ 750mA, 10V | 5V @ 250µA | 15 nC @ 10 V | ±30V | 550 pF @ 25 V | - | 35W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 (Y-Forming) |
|
FDI9409-F085FDI9409 - N-CHANNEL POWERTRENCH Fairchild Semiconductor |
1,600 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 80A (Tc) | 10V | 3.8mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 56 nC @ 10 V | ±20V | 2980 pF @ 25 V | - | 94W (Tj) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | I2PAK (TO-262) |
|
|
FDPF041N06BL1MOSFET N-CH 60V 77A TO220F Fairchild Semiconductor |
315 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 77A (Tc) | 10V | 4.1mOhm @ 77A, 10V | 4V @ 250µA | 69 nC @ 10 V | ±20V | 5690 pF @ 30 V | - | 44.1W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
|
FCP600N60ZPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N Fairchild Semiconductor |
781 | - |
|
Таблицы данных |
SuperFET® II | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 7.4A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 3.7A, 10V | 3.5V @ 250µA | 26 nC @ 10 V | ±20V | 1120 pF @ 25 V | - | 89W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
|
FDP070AN06A0MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
746 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 15A (Ta), 80A (Tc) | 10V | 7mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 66 nC @ 10 V | ±20V | 3000 pF @ 25 V | - | 175W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
