БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS7670POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 Fairchild Semiconductor |
85,098 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 8-PowerTDFN | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 21A (Ta), 42A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.8mOhm @ 21A, 10V | 3V @ 250µA | 56 nC @ 10 V | ±20V | 4105 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta), 62W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
|
FDMC7660SPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 Fairchild Semiconductor |
9,685 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench®, SyncFET™ | 8-PowerTDFN | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 20A (Ta), 40A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.2mOhm @ 20A, 10V | 2.5V @ 1mA | 66 nC @ 10 V | ±20V | 4325 pF @ 15 V | - | 2.3W (Ta), 41W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | Power33 |
|
FCU3400N80ZMOSFET N-CH 800V 2A I-PAK Fairchild Semiconductor |
1,691 | - |
|
Таблицы данных |
SuperFET® II | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 2A (Tc) | 10V | 3.4Ohm @ 1A, 10V | 4.5V @ 200µA | 9.6 nC @ 10 V | ±20V | 400 pF @ 100 V | - | 32W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
FDPF5N50TPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 Fairchild Semiconductor |
55,864 | - |
|
Таблицы данных |
UniFET™ | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 5A (Tc) | 10V | 1.4Ohm @ 2.5A, 10V | 5V @ 250µA | 15 nC @ 10 V | ±30V | 640 pF @ 25 V | - | 28W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
|
FDMS8023SPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 Fairchild Semiconductor |
1,932 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench®, SyncFET™ | 8-PowerTDFN | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 26A (Ta), 49A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.4mOhm @ 26A, 10V | 3V @ 1mA | 57 nC @ 10 V | ±20V | 3550 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta), 59W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
|
|
FDPF5N50UTPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 Fairchild Semiconductor |
17,120 | - |
|
Таблицы данных |
FRFET® | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 4A (Tc) | 10V | 2Ohm @ 2A, 10V | 5V @ 250µA | 15 nC @ 10 V | ±30V | 650 pF @ 25 V | - | 28W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
FQP6N40CPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 Fairchild Semiconductor |
10,000 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 6A (Tc) | 10V | 1Ohm @ 3A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nC @ 10 V | ±30V | 625 pF @ 25 V | - | 73W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
|
HUF75321P3POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 Fairchild Semiconductor |
6,903 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 35A (Tc) | 10V | 34mOhm @ 35A, 10V | 4V @ 250µA | 44 nC @ 20 V | ±20V | 680 pF @ 25 V | - | 93W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
|
FDPF3N50NZPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 Fairchild Semiconductor |
5,000 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
FQP10N20CPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9 Fairchild Semiconductor |
17,000 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 9.5A (Tc) | 10V | 360mOhm @ 4.75A, 10V | 4V @ 250µA | 26 nC @ 10 V | ±30V | 510 pF @ 25 V | - | 72W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
