БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS6692APOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9 Fairchild Semiconductor |
1,731 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 9A (Ta) | 4.5V, 10V | 11.5mOhm @ 9A, 10V | 2.5V @ 250µA | 29 nC @ 10 V | ±20V | 1610 pF @ 15 V | - | 1.47W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
NDP5060NDP5060 - 26A, 60V, 0.05OHM, N-C Fairchild Semiconductor |
1,080 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
FDS6676ASSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Fairchild Semiconductor |
5,369 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench®, SyncFET™ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 14.5A (Ta) | 4.5V, 10V | 6mOhm @ 14.5A, 10V | 3V @ 1mA | 63 nC @ 10 V | ±20V | 2510 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
FDMS7570SPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 Fairchild Semiconductor |
17,297 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench®, SyncFET™ | 8-PowerTDFN | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 28A (Ta), 49A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.95mOhm @ 28A, 10V | 3V @ 1mA | 69 nC @ 10 V | ±20V | 4515 pF @ 13 V | - | 2.5W (Ta), 83W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
|
FQP4N20LPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 Fairchild Semiconductor |
2,000 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 3.8A (Tc) | 5V, 10V | 1.35Ohm @ 1.9A, 10V | 2V @ 250µA | 5.2 nC @ 5 V | ±20V | 310 pF @ 25 V | - | 45W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
FQU5N40TUPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 Fairchild Semiconductor |
36,535 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 3.4A (Tc) | 10V | 1.6Ohm @ 1.7A, 10V | 5V @ 250µA | 13 nC @ 10 V | ±30V | 460 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 45W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
|
FQU9N25TUPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 Fairchild Semiconductor |
8,414 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 7.4A (Tc) | 10V | 420mOhm @ 3.7A, 10V | 5V @ 250µA | 20 nC @ 10 V | ±30V | 700 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta), 55W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
|
FDMS4435BZPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9 Fairchild Semiconductor |
1,500 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 8-PowerTDFN | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 9A (Ta), 18A (Tc) | 4.5V, 10V | 20mOhm @ 9A, 10V | 3V @ 250µA | 47 nC @ 10 V | ±25V | 2050 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta), 39W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PQFN (5x6) |
|
FDD6680ASMOSFET N-CH 30V 55A TO252 Fairchild Semiconductor |
9,266 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench®, SyncFET™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 55A (Ta) | 4.5V, 10V | 10.5mOhm @ 12.5A, 10V | 3V @ 1mA | 29 nC @ 10 V | ±20V | 1200 pF @ 15 V | - | 60W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
|
RFP4N05L4A, 50V, 0.8OHM, N-CHANNEL MOSFE Fairchild Semiconductor |
9,200 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
