БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STB24N60M2MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II Plus | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 18A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 9A, 10V | 4V @ 250µA | 29 nC @ 10 V | ±25V | 1060 pF @ 100 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
STL125N8F7AGAUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 80 V STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 120A (Tc) | 10V | 4.5mOhm @ 60A, 10V | 4.5V @ 250µA | 76 nC @ 10 V | ±20V | 5570 pF @ 40 V | - | 167W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PowerFlat™ (5x6) |
|
STL3NK40MOSFET N-CH 400V 430MA POWERFLAT STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH™ | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 430mA (Tc) | 10V | 5.5Ohm @ 220mA, 10V | 2V @ 50µA | 13 nC @ 10 V | ±20V | 200 pF @ 25 V | - | 2.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerFLAT™ (5x5) |
|
STLD125N4F6AGMOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ F6 | 8-PowerWDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 120A (Tc) | 6.5V, 10V | 3mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 1mA | 91 nC @ 10 V | ±20V | 5600 pF @ 10 V | - | 130W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerFlat™ (5x6) Dual Side |
|
STU5N95K3MOSFET N-CH 950V 4A IPAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH3™ | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 950 V | 4A (Tc) | 10V | 3.5Ohm @ 2A, 10V | 5V @ 100µA | 19 nC @ 10 V | ±30V | 460 pF @ 25 V | - | 90W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-251 (IPAK) |
|
STL140N4LLF5MOSFET N-CH 40V 140A POWERFLAT STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ V | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 140A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.75mOhm @ 16A, 10V | 1V @ 250µA | 45 nC @ 4.5 V | ±22V | 5900 pF @ 25 V | - | 80W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerFlat™ (5x6) |
|
STF8N90K5MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ K5 | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 8A (Tc) | 10V | - | 5V @ 100µA | - | ±30V | - | - | 130W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
|
|
STU10NM60NMOSFET N-CH 600V 10A IPAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 10A (Tc) | 10V | 550mOhm @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 19 nC @ 10 V | ±25V | 540 pF @ 50 V | - | 70W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-251 (IPAK) |
|
|
STB24N60DM2MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
FDmesh™ II Plus | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 18A (Tc) | 10V | 200mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 250µA | 29 nC @ 10 V | ±25V | 1055 pF @ 100 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
STB26N60M2MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ M2 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 20A (Tc) | 10V | 165mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 34 nC @ 10 V | ±25V | 1360 pF @ 100 V | - | 169W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
