БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STL6N2VH5MOSFET N-CH 20V POWERFLAT STMicroelectronics |
2,834 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ V | 6-PowerWDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 6A (Tj) | 2.5V, 4.5V | 30mOhm @ 3A, 4.5V | 700mV @ 250µA (Min) | 6 nC @ 4.5 V | ±8V | 550 pF @ 16 V | - | 2.4W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PowerFlat™ (2x2) |
|
STD1NK60-1MOSFET N-CH 600V 1A IPAK STMicroelectronics |
3,716 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH™ | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 1A (Tc) | 10V | 8.5Ohm @ 500mA, 10V | 3.7V @ 250µA | 10 nC @ 10 V | ±30V | 156 pF @ 25 V | - | 30W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
STS1NK60ZMOSFET N-CH 600V 250MA 8SO STMicroelectronics |
2,474 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH™ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 250mA (Tc) | 10V | 15Ohm @ 400mA, 10V | 4.5V @ 50µA | 6.9 nC @ 10 V | ±30V | 94 pF @ 25 V | - | 2W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
;;2.jpg)
|
STD5N60DM2MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK STMicroelectronics |
1,037 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ DM2 | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 3.5A (Tc) | 10V | 1.55Ohm @ 1.75A, 10V | 5V @ 250µA | 8.6 nC @ 10 V | ±30V | 375 pF @ 100 V | - | 45W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
STQ2HNK60ZR-APMOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3 STMicroelectronics |
7,663 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH™ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | Cut Tape (CT) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 500mA (Tc) | 10V | 4.8Ohm @ 1A, 10V | 4.5V @ 50µA | 15 nC @ 10 V | ±30V | 280 pF @ 25 V | - | 3W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
|
STB3NK60ZT4MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK STMicroelectronics |
1,914 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 2.4A (Tc) | 10V | 3.6Ohm @ 1.2A, 10V | 4.5V @ 50µA | 11.8 nC @ 10 V | ±30V | 311 pF @ 25 V | - | 45W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
STD2LN60K3MOSFET N CH 600V 2A DPAK STMicroelectronics |
1,221 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH3™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 2A (Tc) | 10V | 4.5Ohm @ 1A, 10V | 4.5V @ 50µA | 12 nC @ 10 V | ±30V | 235 pF @ 50 V | - | 45W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
|
STS6P3LLH6MOSFET P-CH 30V 6A 8SO STMicroelectronics |
1,977 | - |
|
Таблицы данных |
DeepGATE™, STripFET™ VI | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 6A (Ta) | 4.5V, 10V | 30mOhm @ 3A, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 12 nC @ 4.5 V | ±20V | 1450 pF @ 24 V | - | 2.7W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
STD80N3LLMOSFET N-CH 30V 80A DPAK STMicroelectronics |
7,204 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.2mOhm @ 40A, 10V | 2.5V @ 250µA | 18 nC @ 4.5 V | ±20V | 1640 pF @ 25 V | - | 75W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
|
STD6N65M2MOSFET N-CH 650V 4A DPAK STMicroelectronics |
1,792 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 4A (Tc) | 10V | 1.35Ohm @ 2A, 10V | 4V @ 250µA | 9.8 nC @ 10 V | ±25V | 226 pF @ 100 V | - | 60W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
