БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
;;2.jpg)
|
STD3NK80ZT4MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK STMicroelectronics |
6,975 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 2.5A (Tc) | 10V | 4.5Ohm @ 1.25A, 10V | 4.5V @ 50µA | 19 nC @ 10 V | ±30V | 485 pF @ 25 V | - | 70W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
STP11N60DM2MOSFET N-CH 600V 10A TO220 STMicroelectronics |
461 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ DM2 | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 10A (Tc) | 10V | 420mOhm @ 5A, 10V | 5V @ 250µA | 16.5 nC @ 10 V | ±25V | 614 pF @ 100 V | - | 110W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
|
STD13N60DM2MOSFET N-CH 600V 11A DPAK STMicroelectronics |
4,633 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ DM2 | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 11A (Tc) | 10V | 365mOhm @ 5.5A, 10V | 5V @ 250µA | 19 nC @ 10 V | ±25V | 730 pF @ 100 V | - | 110W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
|
STD5N80K5MOSFET N-CH 800V 4A DPAK STMicroelectronics |
4,406 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 4A (Tc) | 10V | 1.75Ohm @ 2A, 10V | 5V @ 100µA | 5 nC @ 10 V | ±30V | 177 pF @ 100 V | - | 60W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
STP12N50M2MOSFET N-CH 500V 10A TO220 STMicroelectronics |
483 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II Plus | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 10A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 250µA | 15 nC @ 10 V | ±25V | 560 pF @ 100 V | - | 85W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
|
STD4N90K5MOSFET N-CH 900V 3A DPAK STMicroelectronics |
4,299 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 3A (Tc) | 10V | 2.1Ohm @ 1A, 10V | 5V @ 100µA | 5.3 nC @ 10 V | ±30V | 173 pF @ 100 V | - | 60W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
|
STP5N80K5MOSFET N-CH 800V 4A TO220 STMicroelectronics |
1,304 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 4A (Tc) | 10V | 1.75Ohm @ 2A, 10V | 5V @ 100µA | 5 nC @ 10 V | ±30V | 177 pF @ 100 V | - | 60W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
STP60NF06FPMOSFET N-CH 60V 30A TO220FP STMicroelectronics |
978 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ II | TO-220-3 Full Pack | Tube | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 30A (Tc) | 10V | 16mOhm @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 66 nC @ 10 V | ±20V | 1810 pF @ 25 V | - | 30W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
|
|
STP4NK60ZMOSFET N-CH 600V 4A TO220AB STMicroelectronics |
552 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH™ | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 4A (Tc) | 10V | 2Ohm @ 2A, 10V | 4.5V @ 50µA | 26 nC @ 10 V | ±30V | 510 pF @ 25 V | - | 70W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
|
STD110N8F6MOSFET N-CH 80V 80A DPAK STMicroelectronics |
2,374 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ F6 | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 80A (Tc) | 10V | 6.5mOhm @ 40A, 10V | 4.5V @ 250µA | 150 nC @ 10 V | ±20V | 9130 pF @ 40 V | - | 167W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
