БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STW28NM50NMOSFET N-CH 500V 21A TO247-3 STMicroelectronics |
510 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 21A (Tc) | 10V | 158mOhm @ 10.5A, 10V | 4V @ 250µA | 50 nC @ 10 V | ±25V | 1735 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
|
STW57N65M5MOSFET N-CH 650V 42A TO247 STMicroelectronics |
443 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ V | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 42A (Tc) | 10V | 63mOhm @ 21A, 10V | 5V @ 250µA | 98 nC @ 10 V | ±25V | 4200 pF @ 100 V | - | 250W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
|
STW20N95DK5MOSFET N-CH 950V 18A TO247 STMicroelectronics |
518 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ DK5 | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 950 V | 18A (Tc) | 10V | 330mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 100µA | 50.7 nC @ 10 V | ±30V | 1600 pF @ 100 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
|
STW12N150K5MOSFET N-CH 1500V 7A TO247 STMicroelectronics |
490 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ K5 | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1500 V | 7A (Tc) | 10V | 1.9Ohm @ 3.5A, 10V | 5V @ 100µA | 47 nC @ 10 V | ±30V | 1360 pF @ 100 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
STW68N65DM6-4AGMOSFET N-CH 650V 72A TO247-4 STMicroelectronics |
561 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 72A (Tc) | - | 39mOhm @ 36A, 10V | 4.75V @ 250µA | 118 nC @ 10 V | ±25V | 5900 pF @ 100 V | - | 480W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247-4 |
|
STP34NM60NMOSFET N-CH 600V 29A TO220-3 STMicroelectronics |
267 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 29A (Tc) | 10V | 105mOhm @ 14.5A, 10V | 4V @ 250µA | 80 nC @ 10 V | ±25V | 2722 pF @ 100 V | - | 250W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
|
STW12N120K5MOSFET N-CH 1200V 12A TO247 STMicroelectronics |
1,172 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ K5 | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 12A (Tc) | 10V | 690mOhm @ 6A, 10V | 5V @ 100µA | 44.2 nC @ 10 V | ±30V | 1370 pF @ 100 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
|
SCTWA35N65G2VTRANS SJT N-CH 650V 45A TO247 STMicroelectronics |
577 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | 45A (Tc) | 18V, 20V | 72mOhm @ 20A, 20V | 3.2V @ 1mA | 73 nC @ 20 V | +20V, -5V | 73000 pF @ 400 V | - | 208W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 Long Leads |
|
|
STW65N65DM2AGMOSFET N-CH 650V 60A TO247 STMicroelectronics |
349 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ DM2 | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 60A (Tc) | 10V | 50mOhm @ 30A, 10V | 5V @ 250µA | 120 nC @ 10 V | ±25V | 5500 pF @ 100 V | - | 446W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247-3 |
|
|
STW72N60DM2AGMOSFET N-CH 600V 66A TO247 STMicroelectronics |
528 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ DM2 | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 66A (Tc) | 10V | 42mOhm @ 33A, 10V | 5V @ 250µA | 121 nC @ 10 V | ±25V | 5508 pF @ 100 V | - | 446W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247-3 |
