БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STW60NM50NMOSFET N-CH 500V 68A TO247 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ II | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 68A (Tc) | 10V | 43mOhm @ 34A, 10V | 4V @ 250µA | 178 nC @ 10 V | ±25V | 5790 pF @ 100 V | - | 446W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
STW55NM60NDMOSFET N-CH 600V 51A TO247-3 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
FDmesh™ II | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 51A (Tc) | 10V | 60mOhm @ 25.5A, 10V | 5V @ 250µA | 190 nC @ 10 V | ±25V | 5800 pF @ 50 V | - | 350W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
|
STW54NM65NDMOSFET N-CH 650V 49A TO247-3 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
FDmesh™ II | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 49A (Tc) | 10V | 65mOhm @ 24.5A, 10V | 5V @ 250µA | 188 nC @ 10 V | ±25V | 6200 pF @ 50 V | - | 350W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-3 |
|
SCT040W120G3-4AGTO247-4 STMicroelectronics |
0 | - |
|
- |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 40A (Tc) | 15V, 18V | 54mOhm @ 16A, 18V | 4.2V @ 5mA | 56 nC @ 18 V | +22V, -10V | 1329 pF @ 800 V | - | 312W (Tc) | -55°C ~ 200°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-247-4 |
|
STWA68N60M6MOSFET N-CH 600V 63A TO247 STMicroelectronics |
3 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ M6 | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 63A (Tc) | 10V | 41mOhm @ 31.5A, 10V | 4.75V @ 250µA | 106 nC @ 10 V | ±25V | 4360 pF @ 100 V | - | 390W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 Long Leads |
|
|
SCTH60N120G2-7SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 60A (Tc) | 18V | 52mOhm @ 30A, 10V | 5V @ 1mA | 94 nC @ 18 V | +22V, -10V | 1969 pF @ 800 V | - | 390W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | H2PAK-7 |
|
STE48NM60MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ | ISOTOP | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 48A (Tc) | 10V | 110mOhm @ 22.5A, 10V | 5V @ 250µA | 134 nC @ 10 V | ±30V | 3800 pF @ 25 V | - | 450W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
STE30NK90ZMOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH™ | ISOTOP | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 28A (Tc) | 10V | 260mOhm @ 14A, 10V | 4.5V @ 150µA | 490 nC @ 10 V | ±30V | 12000 pF @ 25 V | - | 500W (Tc) | -65°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
|
SCT011H75G3AGMOSFET 750 V 110A H2PAK7 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Cut Tape (CT) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
SCTWA70N120G2V-4DISCRETE STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-4 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 91A (Tc) | 18V | 30mOhm @ 50A, 18V | 4.9V @ 1mA | 150 nC @ 18 V | +22V, -10V | 3540 pF @ 800 V | - | 547W | -55°C ~ 200°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
