БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STF20N95DK5DISCRETE STMicroelectronics |
0 | - |
|
- |
- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 950 V | 18A (Tc) | 10V | 330mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 100µA | 50.7 nC @ 10 V | ±30V | 1600 pF @ 100 V | - | 28W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
|
STB15N65M5MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ V | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 11A (Tc) | 10V | 340mOhm @ 5.5A, 10V | 5V @ 250µA | 22 nC @ 10 V | ±25V | 810 pF @ 100 V | - | 85W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
STB80NF55-08AGMOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 80A (Tc) | 10V | 8mOhm @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 112 nC @ 10 V | ±20V | 3740 pF @ 15 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | D2PAK |
|
STP21NM60NMOSFET N-CH 600V 17A TO220AB STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 17A (Tc) | 10V | 220mOhm @ 8.5A, 10V | 4V @ 250µA | 66 nC @ 10 V | ±25V | 1900 pF @ 50 V | - | 140W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
STI21NM60NDMOSFET N-CH 600V 17A I2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
FDmesh™ II | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 17A (Tc) | 10V | 220mOhm @ 8.5A, 10V | 5V @ 250µA | 60 nC @ 10 V | ±25V | 1800 pF @ 50 V | - | 140W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | I2PAK |
|
STF11N65M5MOSFET N-CH 650V 9A TO220FP STMicroelectronics |
4 | - |
|
Таблицы данных |
MDmesh™ V | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 9A (Tc) | 10V | 480mOhm @ 4.5A, 10V | 5V @ 250µA | 17 nC @ 10 V | ±25V | 644 pF @ 100 V | - | 25W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FP |
|
|
STP30N65DM6AGDISCRETE STMicroelectronics |
0 | - |
|
- |
- | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 28A (Tc) | 10V | 115mOhm @ 10A, 10V | 4.75V @ 250µA | 46 nC @ 10 V | ±25V | 2000 pF @ 100 V | - | 223W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-220 |
|
STV160NF02LT4MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ II | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 160A (Tc) | 5V, 10V | 2.5mOhm @ 80A, 10V | 1V @ 250µA | 160 nC @ 10 V | ±15V | 4800 pF @ 15 V | - | 210W (Tc) | 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 10-PowerSO |
|
|
STV200N55F3MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 200A (Tc) | 10V | 2.5mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 100 nC @ 10 V | ±20V | 6800 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 10-PowerSO |
|
STB80NF55L-06T4MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ II | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 80A (Tc) | 10V | 6.5mOhm @ 40A, 10V | 1V @ 250µA | 136 nC @ 5 V | ±20V | 4850 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
