БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STS9P3LLH6MOSFET P-CH 30V 9A 8SO STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ H6 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 9A (Ta) | 4.5V, 10V | 15mOhm @ 4.5A, 10V | 2V @ 250µA | 24 nC @ 4.5 V | ±20V | 2615 pF @ 25 V | - | 2.7W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
;;2.jpg)
|
STD70N02LMOSFET N-CH 25V 60A DPAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ III | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 60A (Tc) | 5V, 10V | 8mOhm @ 30A, 10V | 1.8V @ 250µA | 32 nC @ 10 V | ±20V | 1400 pF @ 16 V | - | 60W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
STB5NK50Z-1MOSFET N-CH 500V 4.4A I2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 4.4A (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 2.2A, 10V | 4.5V @ 50µA | 28 nC @ 10 V | ±30V | 535 pF @ 25 V | - | 70W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 (I2PAK) |
|
STP5NK40ZMOSFET N-CH 400V 3A TO220AB STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 3A (Tc) | 10V | 1.8Ohm @ 1.5A, 10V | 4.5V @ 50µA | 17 nC @ 10 V | ±30V | 305 pF @ 25 V | - | 45W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
|
STB4NK60Z-1MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 4A (Tc) | 10V | 2Ohm @ 2A, 10V | 4.5V @ 50µA | 26 nC @ 10 V | ±30V | 510 pF @ 25 V | - | 70W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | I2PAK |
|
STT5PF20VMOSFET P-CH 20V 5A SOT23-6 STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
STripFET™ II | SOT-23-6 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 5A (Tc) | 2.5V, 4.5V | 80mOhm @ 2.5A, 4.5V | 450mV @ 250µA (Min) | 4.5 nC @ 2.5 V | ±8V | 412 pF @ 15 V | - | 1.6W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-6 |
|
|
STD30NF06LAGMOSFET N-CH 60V 28A DPAK STMicroelectronics |
0 | - |
|
- |
STripFET™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 35A (Tc) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
|
STP7N52K3MOSFET N-CH 525V 6A TO220AB STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH3™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 525 V | 6A (Tc) | 10V | 980mOhm @ 3.1A, 10V | 4.5V @ 50µA | 34 nC @ 10 V | ±30V | 737 pF @ 100 V | - | 90W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
|
STP5N62K3MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220AB STMicroelectronics |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SuperMESH3™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 620 V | 4.2A (Tc) | 10V | 1.6Ohm @ 2.1A, 10V | 4.5V @ 50µA | 26 nC @ 10 V | ±30V | 680 pF @ 50 V | - | 70W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220 |
|
STL64N4F7AGDISCRETE STMicroelectronics |
0 | - |
|
- |
STripFET™ F7 | 8-PowerVDFN | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 64A (Tc) | 10V | 8.5mOhm @ 32A, 10V | 4V @ 250µA | 9.8 nC @ 10 V | ±20V | 637 pF @ 25 V | - | 65W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount, Wettable Flank | PowerFlat™ (5x6) |
