БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RF9L120BKFRATCRNCH 60V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE Rohm Semiconductor |
3,498 | - |
|
Таблицы данных |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
RQ3G120BJFRATCBPCH -40V -12A, HSMT8AG, POWER MO Rohm Semiconductor |
2,990 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 12A (Tc) | 4.5V, 10V | 48mOhm @ 12A, 10V | 2.5V @ 279µA | 15.5 nC @ 10 V | +5V, -20V | 750 pF @ 20 V | - | 40W (Tc) | 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | 8-HSMT (3.2x3) |
|
|
RF9G120BKFRATCRNCH 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE Rohm Semiconductor |
3,490 | - |
|
Таблицы данных |
- | 6-UDFN Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 12A (Tc) | 4.5V, 10V | 17.5mOhm @ 3A, 10V | 2.5V @ 431µA | 8.5 nC @ 10 V | ±20V | 470 pF @ 20 V | - | 23W (Tc) | 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | DFN2020Y7LSAA |
|
|
RQ3L120BJFRATCBPCH -60V -12A, HSMT8AG, POWER MO Rohm Semiconductor |
3,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 12A (Tc) | 4.5V, 10V | 106mOhm @ 12A, 10V | 2.5V @ 273µA | 15.7 nC @ 10 V | +5V, -20V | 710 pF @ 30 V | - | 40W (Tc) | 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | 8-HSMT (3.2x3) |
|
|
R6006KND4TL1600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED Rohm Semiconductor |
3,981 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-261-3 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 2.8A (Tc) | 10V | 870mOhm @ 2A, 10V | 5.5V @ 1mA | 12 nC @ 10 V | ±20V | 350 pF @ 25 V | - | 12.3W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223-3 |
|
|
RQ3L120BKFRATCBNCH 60V 12A, HSMT8AG, POWER MOSF Rohm Semiconductor |
3,490 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 12A (Tc) | 4.5V, 10V | 30mOhm @ 12A, 10V | 2.5V @ 19µA | 7.3 nC @ 10 V | ±20V | 440 pF @ 30 V | - | 40W (Tc) | 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | 8-HSMT (3.2x3) |
|
|
R6502END3TL1650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE Rohm Semiconductor |
2,500 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 1.7A (Tc) | 10V | 4Ohm @ 600mA, 10V | 4V @ 40µA | 6.5 nC @ 10 V | ±20V | 65 pF @ 25 V | - | 26W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 |
|
|
RD3P01BATTL1PCH -100V -10A POWER MOSFET: RD3 Rohm Semiconductor |
2,414 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 10A (Ta) | 6V, 10V | 240mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 1mA | 19.4 nC @ 10 V | ±20V | 660 pF @ 50 V | - | 25W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 |
|
|
R6004KNXC7G600V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI Rohm Semiconductor |
952 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 4A (Ta) | 10V | 980mOhm @ 1.5A, 10V | 5V @ 1mA | 10.2 nC @ 10 V | ±20V | 280 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FM |
|
RCJ100N25TLMOSFET N-CH 250V 10A LPT Rohm Semiconductor |
990 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 10A (Tc) | 10V | 320mOhm @ 5A, 10V | 5V @ 1mA | 26.5 nC @ 10 V | ±30V | 1440 pF @ 25 V | - | 1.56W (Ta), 85W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
